[发明专利]一种逐次逼近数模转换器的电阻串复用电路结构无效
申请号: | 201110184506.9 | 申请日: | 2011-07-04 |
公开(公告)号: | CN102324934A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 宁宁;关允超;张军;杜翎;于奇;王向展 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10;H03M1/38 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 盛明洁 |
地址: | 610054 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 逐次 逼近 数模转换器 电阻 用电 结构 | ||
技术领域
本发明属于模拟数字转换技术领域,特别涉及一种能降低成本,减少功耗的逐次逼近数模转换器电路结构。
背景技术
随着数字技术和通信技术的不断发展,对于模拟数字转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)的要求越来越高。ADC的作用是将连续的电压信号转化为数字编码,对其性能的要求主要是高速、高分辨率和低功耗。ADC的类型有很多种,而其中的逐次逼近式的模拟数字转换器(Successive Approximation Register ADC,SAR ADC)以中等速度、中等分辨率、低成本和低功耗受到广泛的应用,被应用于无线传感网络,生物医学仪器,电阻型触摸屏等设备上。
通常的SAR ADC构成图如图1所示,主要包含一比较器101,一数字模拟转换器(Digital-to-Analog Converter,DAC)102和一逐次逼近寄存器(SAR)逻辑控制103。当SAR ADC正常工作时,首先对输入的模拟电压(VIN)进行采样,然后通过二进制搜索算法对采样的VIN进行量化编码。量化开始时,SAR逻辑控制103首先设置最高有效位(Most Significant Bit,MSB)为1,其它位为0,并编码输出控制DAC 102。DAC 102将会输出电压VDAC。接着通过比较器101比较VDAC和参考电压Vcm电压值的大小。如果Vcm大于VDAC,则比较器101输出逻辑高电平,SAR逻辑控制103中的MSB保持为1。相反,MSB被置位为0。然后SAR逻辑控制103设置MSB的下一位为1,进行下一位的比较。这个过程一直持续到最后一位。最后,SAR ADC就完成了对VIN的量化编码。
图1中SAR ADC的DAC 102模块如果采用这种全电容阵列结构,会占据较大的芯片面积(注:本文提到的全电容阵列均指的是不采用分段级联结构的电容阵列,而是从最低位到最高位采用二进制加权电容阵列结构)。例如对于N位的SAR ADC,如果取单位电容值为C,全电容阵列的DAC总的电容值为2NC。随着ADC位数的增加,电容值以指数的形式增加,会消耗较大的芯片面积。
采用分段结构的DAC可以在一定程度上解决全电容阵列DAC消耗过大芯片面积的问题。但采用分段结构,不可避免会引入一个以上的分数值电容的耦合电容。工艺上很难保证分数值电容值的精度,这样就限制了ADC的精度。为了解决分数值值耦合电容的问题,可以采用自校准技术对DAC进行校正。同时,采用自校准技术也可以在一定范围内校准DAC中电容之间的匹配误差。
因此一种可行的DAC方案如图2所示,包括两个部分:一主要数字模拟转换器(Main DAC,MDAC)201,采用电容电阻混合组成的三段式结构,其高Y位为电容阵列,中间N位为电阻串结构,低X位为电容阵列,这样只需引入一个耦合电容,保证了校准算法的有效实施;一自校准电路202,其中包含一校准数字模拟转换器(Calibration DAC,CDAC)2021,CDAC的高P位采用电阻串结构,低Q位采用电容阵列构成。
在ADC的系统结构中,需要参考电压来对输入的模拟电压进行量化编码。为了消除温度变化对参考电压的影响,通常采用一种称为带隙基准电压源作为ADC中的参考电压。在SAR ADC中,一般需要两个参考电压:一参考电压Vref和一电压值为Vref一半的参考电压Vcm。为产生Vref和Vcm,可以采用如图3所示的结构。包括:一带隙基准电压电路301;一电压调节器302。
在图2中,主要数字模拟转换器(MDAC)201和校准数字模拟转换器(CDAC)2021模块中都包含有一个电阻串结构。同时在图3中,电压调节器302模块也包含一个电阻串结构。这三个电阻串的存在,不仅会消耗了大量的功耗,也消耗了大量的芯片面积。
发明内容
本发明的目的是为了减少芯片面积以及降低芯片功耗,采用通过电阻串复用的方式,提出了一种低成本低功耗的SAR ADC结构。
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