[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜

权利要求书

1.一种倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，其中当所述膜形成于所述半导体元件背面上时，所述膜在其不面向所述半导体元件背面的一个面的表面粗糙度Ra在固化前在50nm-100nm范围内，所述倒装芯片型半导体背面用膜包含有机树脂组分以及无机填料，其中相对于100重量份有机树脂组分无机填料的量为5～95重量份，所述倒装芯片型半导体背面用膜在温度85℃和湿度85％RH的气氛下静置168小时后倒装芯片型半导体背面用膜的吸湿率为1重量％以下。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在2μm-200μm范围内的厚度。

3.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述半导体元件具有在20μm-300μm范围内的厚度。

4.根据权利要求2所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述半导体元件具有在20μm-300μm范围内的厚度。

5.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带和层压在所述切割带上的根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，

其中所述切割带包括基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层，和所述倒装芯片型半导体背面用膜层压在所述压敏粘合剂层上。

6.根据权利要求5所述的半导体背面用切割带集成膜，其具有在2μm-200μm范围内的厚度。

7.根据权利要求5所述的半导体背面用切割带集成膜，其中所述半导体元件具有在20μm-300μm范围内的厚度。

8.根据权利要求6所述的半导体背面用切割带集成膜，其中所述半导体元件具有在20μm-300μm范围内的厚度。