[发明专利]半导体结构以及有机电致发光元件

权利要求书

1.一种半导体结构，设置于一基板上，其特征在于，包括：

一栅极，配置于该基板上；

一栅绝缘层，配置于该基板上，并且覆盖该栅极；

一通道层，位于该栅绝缘层上，且位于该栅极上方，该通道层沿一通道方向上，具有一通道长度L，该通道层具有一第一侧边，以及一第二侧边相对于该第一侧边；

一源极以及一漏极，位于该通道层的相对两侧，且分别电性连接该通道层的该第一侧边与该第二侧边；

一介电层，覆盖该源极、该漏极以及该通道层；以及

一导电遮光图案层，配置于该介电层上，该导电遮光图案层跟部份该源极与该通道层在垂直投影上重迭，其中该导电遮光图案层跟该通道层具有一重迭长度d1，且0.3≤d1/L≤0.85。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该通道层的材质包括氧化物半导体。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该氧化物半导体包括铟镓锌氧化物。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该导电遮光图案层沿该通道方向具有一第三侧边与一第四侧边，该第四侧边跟该通道层在垂直投影上重迭，其中该重迭长度d1等于该第四侧边跟该通道层的第一侧边在该通道方向上的距离。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该通道层覆盖部分的该源极以及部分的该漏极。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该源极以及该漏极分别覆盖部分的该通道层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，更包括一蚀刻阻挡层，配置于该通道层上，且该源极以及该漏极更分别覆盖部分的该蚀刻阻挡层。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，该漏极沿该通道方向具有一第五侧边，其中该第五侧边跟该通道层重迭，且该第五侧边与该第二侧边在该通道方向上相距t1，且0＜t1/L＜0.15。

9.一种有机电致发光元件，设置于一基板上，其特征在于，包括：

一栅极，配置于该基板上；

一栅绝缘层，配置于该基板上，并且覆盖该栅极；

一通道层，位于该栅绝缘层上，且位于该栅极上方，该通道层沿一通道方向上，具有一通道长度L，该通道层具有一第一侧边，以及一第二侧边相对于该第一侧边；

一源极以及一漏极，位于该通道层的相对两侧，且分别电性连接该通道层的该第一侧边与该第二侧边；

一介电层，覆盖该源极、该漏极以及该通道层；

一导电遮光图案层，配置于该介电层上，该导电遮光图案层跟部份该源极与该通道层在垂直投影上重迭，其中该导电遮光图案层跟该通道层具有一重迭长度d1，且0.3≤d1/L≤0.85；

一有机发光层，配置于该导电遮光图案层上；以及

一上电极，配置于该有机发光层上。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光元件，其特征在于，该通道层的材质包括氧化物半导体。

11.根据权利要求10所述的有机电致发光元件，其特征在于，该氧化物半导体包括铟镓锌氧化物。

12.根据权利要求9所述的有机电致发光元件，其特征在于，该导电遮光图案层沿该通道方向具有一第三侧边与一第四侧边，该第四侧边跟该通道层重迭，其中该重迭长度等于该第四侧边跟该通道层的第一侧边在该通道方向上的距离。

13.根据权利要求9所述的有机电致发光元件，其特征在于，该通道层覆盖部分的该源极以及部分的该漏极。

14.根据权利要求9所述的有机电致发光元件，其特征在于，该源极以及该漏极分别覆盖部分的该通道层。

15.根据权利要求14所述的有机电致发光元件，更包括一蚀刻阻挡层，配置于该通道层上，且该源极以及该漏极更分别覆盖部分的该蚀刻阻挡层。

16.根据权利要求14所述的有机电致发光元件，其特征在于，该漏极沿该通道方向具有一第五侧边，其中该第五侧边跟该通道层重迭，且该第五侧边与该第二侧边在该通道方向上相距t1，且0＜t1/L＜0.15。