[发明专利]双电压、双维持、双续流驱动电路有效

专利信息
申请号: 201110184843.8 申请日: 2011-07-04
公开(公告)号: CN102865401A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 苗建中;敖成丽;张黔飞 申请(专利权)人: 贵州红林机械有限公司
主分类号: F16K31/06 分类号: F16K31/06
代理公司: 贵州国防工业专利中心 52001 代理人: 蔡丽华
地址: 550009 贵州*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 电压 维持 双续流 驱动 电路
【权利要求书】:

1.双电压、双维持、双续流驱动电路,其特征在于:驱动器的信号输入端由6个调节旋钮组成,分别是PWM占空比调节旋钮、PWM频率调节旋钮、延迟时间调节旋钮、激励时间旋钮、高维持电流调节旋钮和高/低维持电流调节旋钮;驱动器的信号输出端与电磁阀连接;在驱动器内设有CPU、输入电路、电流比较电路和功率驱动电路;PWM占空比调节旋钮、PWM频率调节旋钮、延迟时间调节旋钮和激励时间调节旋钮均与输入电路连接,他们将信号输入到输入电路,输入电路连接到CPU的数模转换端口(AD0~AD3);CPU通过A/D转换计算出相应的时间后输出激励信号、高边驱动信号和低边驱动信号到功率驱动电路的信号输入端;高维持电流调节旋钮、高/低维持电流调节旋钮的信号被输入到电流比较电路,经电流比较电路处理后,输出连接到功率驱动电路的高边驱动信号输入端;功率驱动电路的信号输出端与电磁阀连接。

2.根据权利要求1所述的双电压、双维持、双续流驱动电路,其特征在于:所述输入电路是由4通道运算放大器(U8)、电容(C1、C2、C3)、钽电容(C4)、钽电容(C5)、电阻(R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8)、二极管(D1)和稳压管(Z1)组成的4个相同的滤波跟随电路,这4个滤波跟随电路被分别连接在数模转换端口(AD0~AD3)与PWM占空比调节旋钮、PWM频率调节旋钮、延迟时间调节旋钮和激励时间调节旋钮之间。

3.根据权利要求1或2所述的双电压、双维持、双续流驱动电路,其特征在于:在滤波跟随电路中,电阻(R1)的一端接电源正极,另一端接调节旋钮的3脚,电阻(R2)的一端接地,另一端接调节旋钮的1脚,电阻(R4)的一端接调节旋钮的2脚,另一端接电阻(R3、R5、R6)和电容(C1)的一端,电阻(R3和R5)的另一端接地,电阻(R6)的另一端接运算放大器(U8)的正输入端,同时接电阻(R7、C3和C4)的正极的一端和二极管(D1)的3脚,二极管(D1)的1脚、电阻(R7)、电容(C3和C4)的另一端接地,二极管(D1)的2脚接5伏电源正极,电容(C1)的另一端接运算放大器(U8)的负输入端和输出端和电阻(R8)的一端,电阻(R8)的另一端接CPU的数模转换端口(AD0~AD3)和电容(C5)的正极、稳压管(Z1)的3脚,稳压管(Z1)的1、2脚同时接地,钽电容(C5)的负极接地。

4.根据权利要求1所述的双电压、双维持、双续流驱动电路,其特征在于:由N沟道MOS管(Q1~Q5),半桥驱动芯片(U5)和(U6),高速MOSFET驱动芯片(U7),肖特基二极管(SD1、SD2和SD3),稳压二极管(Z2)组成基本驱动电路,然后与由栅极驱动芯片(U7),电阻(R148、R152和R83),电容(C8和C76),钽电容(E7),肖特基二极管(SD1和SD3),稳压二极管(Z2和Z3),以及MOS管(Q3)构成的低边驱动电路共同组成功率驱动电路。

5.根据权利要求1或4所述的双电压、双维持、双续流驱动电路,其特征在于:在功率驱动电路中,CPU发出的信号(S_1)连接到半桥驱动芯片(U5)的输入端,半桥驱动芯片(U5)的输出端分别接MOS管(Q1)和(Q4)的栅极,MOS管(Q1)的漏极接MOS管(Q4)的源极,且同时接肖特基二极管(SD2)的1脚,MOS管(Q1)源极接地,MOS管(Q4)的漏极接激励电压(P_S);CPU发出的信号(S_2)连接到半桥驱动芯片(U6)的输入端,半桥驱动芯片(U6)的输出端分别接MOS管(Q2和Q5)的栅极,MOS管(Q2)的漏极接MOS管(Q5)的源极,且同时接肖特基二极管(SD2)的3脚,MOS管(Q2)的源极接地,MOS管(Q5)的漏极接电磁阀工作电压Power;CPU发出的信号(S_3)连接到半桥驱动芯片(U7)的输入端,半桥驱动芯片(U7)的输出端接MOS管(Q3)的栅极,MOS管(Q3)的漏极接肖特基二极管(SD1)的一脚,肖特基二极管(SD1)的另一脚接激励电压(P_S),MOS管(Q1)的漏极同时还接电磁阀的一端和起向下续流作用的稳压二级管(Z2)的N端,肖特基二极管(SD2)的2脚接电磁阀的另一端,同时接肖特基二极管(SD3)的N端,稳压二级管(Z2)的P端、肖特基二极管(SD3)的P端和MOS管(Q3)的源极接地。

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