[发明专利]用于等离子体处理室的可移动基环

权利要求书

1.一种可移动衬底支撑组件的可移动基环，其配置为在可调节间隙的电容耦合等离子体处理室中环绕于所述可移动衬底支撑组件的固定基环且向所述固定基环提供RF返回路径，其中支撑于所述衬底支撑组件的半导体衬底进行等离子体处理，所述可移动基环包括：

在下表面具有多个定中心槽的环状底壁；

从所述底壁的内缘向上延伸的侧壁，所述侧壁具有配置为环绕所述固定基环的外缘的内表面以便所述可移动基环关于所述固定基环垂直移动。

2.根据权利要求1所述的可移动基环，其中所述多个定中心槽包括三个细长的V形槽，每一所述V形槽沿通过所述可移动基环的中心轴线的径向线延伸。

3.根据权利要求1所述的可移动基环，进一步包括位于所述底壁上的多个RF返回带连接，其中所述多个RF返回带连接包括八个在所述底壁的外缘的径向向外延伸的突出部分。

4.根据权利要求1所述的可移动基环，其中所述侧壁的上表面包括配置为容置RF衬垫的环形凹座。

5.根据权利要求1所述的可移动基环，其中所述侧壁的上端包括延伸入所述侧壁的外表面的环槽以形成弯曲部分，所述弯曲部分包括垂直延伸的薄壁部分和从所述薄壁部分的上端径向向外延伸的可转动的环状部分。

6.根据权利要求1所述的可移动基环，其中所述内表面包括阶梯，所述阶梯通过从所述侧壁的上表面延伸的垂直面和在所述内表面和所述垂直面之间延伸的水平面形成，所述水平面包括多个用于安插销的盲孔，所述销与石英环的底面上的列孔紧密配合，所述石英环适用于将侧壁的上端与位于衬底支撑组件的上端外部的电介质环分隔开。

7.一种包括权利要求1所述的可移动基环的衬底支撑组件，所述衬底支撑组件包括下部电极，电夹紧所述半导体衬底于其上的ESC，环绕于所述ESC并具有暴露于等离子体的表面的边环，环绕所述边环并具有暴露于等离子体的表面的电介质环，至少一个位于所述边环下方的绝缘环，位于所述电介质环的下方且环绕所述绝缘环的由导电材料制成的固定基环，所述侧壁的内表面具有比所述固定基环的侧壁的外直径大直至0.04英寸的直径，所述可移动基环支撑于可压缩活塞，所述可压缩活塞支撑于所述固定基环，所述可移动基环关于所述固定基环垂直移动以便与限制环电连接，当所述衬底支撑组件移动到等离子体处理室中所述半导体衬底处理的上部位置时所述限制环形成等离子体限制区域的内壁。

8.根据权利要求7所述的衬底支撑组件，其中每一个所述可压缩活塞包括壳体，用于密封所述壳体下端的盖和位于所述壳体内部的弹簧偏销，所述销包括延伸出所述壳体的上端的上段且被配置用于接合可移动基环上的相应的定中心槽，所述销包括限制所述销向上移动的凸缘且所述凸缘与使所述销向上偏移的弹簧相接合，当所述可移动基环的上端与所述限制环电连接时所述销可压缩。

9.根据权利要求8所述的衬底支撑组件，其中所述壳体的上端包括与所述固定基环上的螺纹开口相配合的小直径螺纹部分和容纳于所述固定基环上的匹配开口的较大的直径部分。

10.根据权利要求7所述的衬底支撑组件，其中所述销的上端关于所述壳体的上端至少可移动0.5英寸。

11.一种包括权利要求7所述的衬底支撑组件的可调节间隙的等离子体处理室，其中所述衬底支撑组件从所述半导体衬底能够被传输到的所述ESC的上表面的下部位置到实施所述半导体衬底的等离子体处理的上部位置是可移动的，所述等离子体处理室包括上部电极和从所述上部电极向外延伸的导电限制环，所述限制环包括上部水平段，从所述上部水平段的外部端向下延伸的垂直段和从所述垂直段的下端向内延伸的底部水平段，所述底部水平段包括径向延伸的槽，通过所述槽工艺气体和反应副产品从所述等离子体处理室中排出，当所述衬底支撑组件处于上部位置时，所述底部水平段的内端的下表面提供与所述可移动基环的上端的电连接以调节所述上部电极与所述下部电极之间的间隙。

12.根据权利要求11所述的可调节间隙的等离子体处理室，其中所述限制环的底部水平段的内端的下表面包括适于提高与所述可移动基环电连接的导电涂层。

13.根据权利要求11所述的可调节间隙的等离子体处理室，其中多个柔性RF返回带延伸于所述可移动基环和所述固定基环之间。