[发明专利]反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池制作方法领域，特别是一种反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺。

背景技术

反应离子刻蚀制绒工艺(RIE)是通过等离子体的轰击和化学反应的刻蚀在硅片表面形成＜1um的微小绒面，以降低表面反射率，增加光的吸收，与传统的湿法制绒技术相比能够获得更高的光电转换效率。现有的反应离子刻蚀制绒工艺流程是：硅片预处理，反应离子刻蚀(RIE)，刻蚀后表面损伤层去除，然后是扩散、后清洗、丝网印刷。因为RIE工艺绒面为尺寸＜1um的锥形，这种绒面结构会造成扩散不均匀，局部表面扩散浓度高，复合速率高，影响光电转换效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺，解决扩散不均匀问题，获得更高的短波响应，提高光电转换效率。

本发明解决其技术问题所采用的方案是：一种反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺，该方法为：表面预处理后，硅片扩散形成扩散层，然后在硅片表面通过反应离子刻蚀在扩散层上形成微小绒面，印刷阻挡层，并通过局部湿法回蚀后形成重掺杂区与低掺杂区，最后在重掺杂区印刷电极，烧结，完成电池片制备。

具体步骤如下：

a)表面损伤层处理：采用酸性溶液去除切片时造成的损伤层；

b)扩散制结：高掺杂浓度扩散，扩散方阻＜50欧姆；

c)反应离子刻蚀：采用氟离子、氯离子和氧离子的反应离子刻蚀系统，制备＜1um的绒面；

d)在发射层根据金属化图形区域印刷回蚀阻挡层；

e)湿法化学回蚀：包括以下步骤：局部湿法回蚀、阻挡层去除、磷硅玻璃及损伤层去除；回蚀后形成在金属化区域高掺杂浓度，而金属化区域之间低掺杂浓度的选择性发射极；

f)沉积SiNx膜进行表面钝化；

g)丝网印刷电极、烧结。

本发明的有益效果是：通过本发明可解决反应离子刻蚀制绒工艺造成扩散不均匀的问题，同时结合一次扩散选择性发射极工艺，提高短波响应，进一步增加光吸收，获得更高的光电转换效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；

图1是本发明的工艺流程图；

图2是本发明的扩散后的硅片的结构示意图；

图3是本发明的制绒后的硅片的结构示意图；

图4是本发明的印刷阻挡层后的硅片的结构示意图；

图5是本发明的湿法回蚀后的硅片的结构示意图；

图6是本发明的印刷电极后的硅片的结构示意图；

图中，1、扩散层；2、绒面；3、阻挡层；4、重掺杂区；5、低掺杂区；6、电极。

具体实施方式

如图1、2、3、4、5和6所示，一种反应离子刻蚀制绒结合选择性发射极太阳能电池制造工艺，该方法为：表面预处理后，硅片扩散形成扩散层1，然后在硅片表面通过反应离子刻蚀在扩散层1上形成微小绒面2，印刷阻挡层3，并通过局部湿法回蚀后形成重掺杂区4与低掺杂区5，最后在重掺杂区4印刷电极6，烧结，完成电池片制备。

具体步骤如下：

a)表面损伤层处理：采用酸性溶液去除切片时造成的损伤层；

b)扩散制结：高掺杂浓度扩散，扩散方阻＜50欧姆；

c)反应离子刻蚀：采用氟离子、氯离子和氧离子的反应离子刻蚀系统，制备＜1um的绒面2；

d)在发射层根据金属化图形区域印刷回蚀阻挡层3；

e)湿法化学回蚀：包括以下步骤：局部湿法回蚀、阻挡层3去除、磷硅玻璃及损伤层去除；回蚀后形成在金属化区域高掺杂浓度，而金属化区域之间低掺杂浓度的选择性发射极；

f)沉积SiNx膜进行表面钝化；

g)丝网印刷电极6、烧结。