[发明专利]半导体衬底上的键合接触部位

权利要求书

1.在半导体衬底(2)上的具有增强结构(10)的键合接触部位(1)，包括：

至少一个设置在所述半导体衬底(2)上的第一金属层(3)，用于接收具有图案的增强结构(10)，

一个作为具有键合面(键合垫)(5)的键合接触层设置在所述第一金属层(3)上方的第三金属层(4)，

在所述键合面(5)下方且在所述第一金属层(3)上方设置有一个绝缘层(14)，所述绝缘层伸出超过所述键合面(5)的边缘(5a)，

其特征在于，

从上方向所述键合面(5)看去，所述增强结构(10)在所述键合面(5)下方在所述第一金属层(3)内部构成，并且

所述增强结构(10)包括介电的岛(11，12)。

2.如权利要求1所述的键合接触部位(1)，其特征在于，所述绝缘层(14)具有至少约2μm的厚度，由多个分层组成。

3.如权利要求1或2所述的键合接触部位(1)，其特征在于，

所述增强结构(10)由规则地设置的第一和第二形状的岛(11，12)构成，

所述第一形状的岛(11)格栅形地设置，以及

分别在四个直接相邻的第一形状的岛(11)之间设置有第二形状的岛(12)，以及

所述第二形状的岛(12)形成格栅形的结构。

4.如权利要求1至3中任一项所述的键合接触部位(1)，其特征在于，在所述第一金属层(3)中构成一框架(3c)，所述框架包围所述增强结构(10)。

5.如权利要求1至4中任一项所述的键合接触部位(1)，其特征在于，所述第一金属层(3)在边缘区域中通过设置在至少一个介电质层(8)中的敷镀通孔(15)与所述键合接触层(4)电连接。

6.如权利要求1至5中任一项所述的键合接触部位(1)，其特征在于，所述第一形状的岛(11)在所述第一金属层(3)的平面中具有正方形的或矩形的横截面。

7.如上述权利要求中任一项所述的键合接触部位(1)，其特征在于，所述第二形状的岛(12)在所述第一金属层(3)的平面中具有十字形的横截面。

8.如上述权利要求中任一项所述的键合接触部位(1)，其特征在于，设有第二金属层(7)，所述第二金属层设置在具有所述增强结构(10)的第一金属层(3)上并且具有设置在中心的由介电质制成的岛，该岛被所述第二金属层(7)框架形地包围。

9.如权利要求8所述的键合接触部位(1)，其特征在于，在所述第一金属层(3)与所述第二金属层(7)之间设置有介电质层(8)，所述介电质层通过设置在边缘区域中的敷镀通孔(15)使两个导电材料层(3，7)电连接。

10.如权利要求8或9所述的键合接触部位(1)，其特征在于，所述键合面(5)在边缘区域中通过设置在介电质层(6)中的敷镀通孔(16)与所述第二金属层(7)电连接。

11.如上述权利要求中任一项所述的键合接触部位(1)，其特征在于，所述键合面(5)通过钝化层(13)的开孔限定并且所述敷镀通孔(15，16)设置在所述钝化层(13)的边缘区域中。

12.如上述权利要求中任一项所述的键合接触部位(1)，其特征在于，所述金属框架(3c，7a)和所述键合面(5a)的相应的外部边缘分别相对彼此横向地错开。