[发明专利]源线偏置电路及存储器

说明书

技术领域

本发明涉及存储器设计技术领域，特别涉及源线偏置电路及存储器。

背景技术

存储器(例如，快闪存储器Flash Memory)的存储单元通常包括四个引线：位线(BL，Bit-Line)、字线(WL，Word-Line)、源线(SL，Source-Line)和基线(SBL，Sub-Line)，分别对应耦接MOS晶体管的漏极、栅极、源极和基极。一般，在对存储器的存储单元进行编程(program)操作时，需要将源线的电压偏置到高电压；而在读操作时，需要将源线的电压偏置到低电压。

图1示出了现有技术存储器中存储单元阵列及源线偏置电路的一种电路结构示意图。参照图1所示，所述存储器中的存储单元由NMOS管构成，各存储单元11、12、13...1k的栅极均与字线WL相连，漏极分别与位线BL<0>、BL<1>、BL<2>...BL<k>相连，源极与源线SL相连。所述源线SL由源线驱动电路40提供驱动电压。所述源线偏置电路包括电荷泵20、电平移位电路30及源线驱动控制晶体管HN1。所述电荷泵20输出电荷泵输出信号，所述电平移位电路30接收电荷泵输出信号和编程信号，并相应输出编程使能信号。

结合图1和图2，在所述存储器进行编程操作时，所述电平移位电路30输出的编程使能信号为低电平，所述源线驱动控制晶体管HN1关闭，所述源线SL上保持源线驱动电路40输出的高电平电压。

在所述存储器进行读取操作时，所述电平移位电路30输出的编程使能信号为高电平，所述源线驱动控制晶体管HN1开启，将所述源线SL接地，使得源线SL上电压降至接地电压。

由于在编程操作时，所述源线驱动电路40提供的驱动电压较高，为了使得源线偏置电路正常工作，所述源线驱动控制晶体管HN1通常采用高压管(一般为工作电压大于5V的晶体管，例如工作电压在7V以上的晶体管)，以能够承载较大的电流。然而，所述源线驱动控制晶体管HN1从关闭切换到开启的所需的电压也较高。相应地，所述电平移位电路30输出的编程使能信号从低电平切换到高电平的时间也较长。由于在进行读取操作时，需要等待源线驱动控制晶体管HN1开启以使得源线SL上电压降至接地电压，因此所述电平移位电路30需较长时间从低电平切换到高电平将影响到读取操作的速度，从而影响存储器的性能。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种源线偏置电路及存储器，以加快读取操作的速度，提高存储器的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种源线偏置电路，所述源线偏置电路与存储器中的源线相连，包括：

电荷泵，提供编程使能信号；

第一源线驱动控制开关，与所述源线相连，且接收所述编程使能信号，保持开启状态；所述第一源线驱动控制开关由高压器件构成；

第二源线驱动控制开关，与第一源线驱动控制开关和接地线相连；在编程信号为高电平时关闭；在编程信号为低电平时开启，将第一源线驱动控制开关和接地线连通；所述第二源线驱动控制开关由低压器件构成。

相应地，本发明还提供一种包括上述源线偏置电路的存储器。

与现有技术相比，上述源线偏置电路及存储器具有以下优点：通过电荷泵提供具有较高电压的编程使能信号，使得由高压器件构成的第一源线驱动控制开关保持开启状态，而由第二源线驱动控制开关根据编程信号的状态来进行源线驱动的控制。由于第二源线驱动控制开关由低压器件构成，因而在关闭与开启间的切换速度较快，加快了读取操作的速度，从而增强了存储器的性能。

附图说明

图1是现有技术存储器中存储单元阵列及源线偏置电路的一种电路结构示意图；

图2是现有技术存储器编程、读及编程使能信号的时序示意图；

图3是本发明源线偏置电路的一种实施方式示意图；

图4是本发明存储器的一种实施例中源线偏置电路与存储单元阵列及源线的电路结构示意图；

图5是本发明存储器编程、读及编程使能信号的时序示意图。

具体实施方式

如前所述，现有技术存储器的源线偏置电路由于采用高压器件进行源线驱动控制，因而在切换高压器件时通常需要较高的电压，相应导致切换速度较慢，影响了存储器的性能。有鉴于此，本发明提供一种新的源线偏置电路，以提高切换速度。

图3示出了本发明源线偏置电路的一种实施方式。所述源线偏置电路与存储器中的源线相连，其包括：

电荷泵200，提供编程使能信号；