[发明专利]干法刻蚀方法有效
申请号: | 201110186102.3 | 申请日: | 2011-07-05 |
公开(公告)号: | CN102254812B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 汪新学;王伟军 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 | ||
1.一种干法刻蚀方法,其特征在于,包括:依次进行的第一主刻蚀步骤和第一附加刻蚀步骤,其中,
所述第一主刻蚀步骤采用第一主刻蚀射频功率及第一刻蚀气体;
所述第一附加刻蚀步骤采用第一附加刻蚀射频功率及第一惰性气体。
2.如权利要求1所述的干法刻蚀方法,其特征在于,所述第一主刻蚀射频功率与所述第一附加刻蚀射频功率相同。
3.如权利要求1所述的干法刻蚀方法,其特征在于,所述第一附加刻蚀射频功率小于所述第一主刻蚀射频功率。
4.如权利要求1所述的干法刻蚀方法,其特征在于,所述第一附加刻蚀步骤的工艺时间为0.1s~2s。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的干法刻蚀方法,其特征在于,在所述第一主刻蚀步骤之前,还包括:
第一稳定步骤,所述第一稳定步骤提供第一准备刻蚀气体。
6.如权利要求5所述的干法刻蚀方法,其特征在于,所述第一准备刻蚀气体与所述第一刻蚀气体相同。
7.如权利要求6所述的干法刻蚀方法,其特征在于,所述第一准备刻蚀气体与所述第一刻蚀气体的流量相同。
8.如权利要求1至4中的任一项所述的干法刻蚀方法,其特征在于,所述第一惰性气体与所述第一刻蚀气体的流量相同。
9.如权利要求1至4中的任一项所述的干法刻蚀方法,其特征在于,在所述第一附加刻蚀步骤之后,还包括:依次进行的第二主刻蚀步骤和第二附加刻蚀步骤,其中,
所述第二主刻蚀步骤采用第二主刻蚀射频功率及第二刻蚀气体;
所述第二附加刻蚀步骤采用第二附加刻蚀射频功率及第二惰性气体。
10.如权利要求9所述的干法刻蚀方法,其特征在于,所述第二主刻蚀射频功率与所述第二附加刻蚀射频功率相同。
11.如权利要求9所述的干法刻蚀方法,其特征在于,在所述第一附加刻蚀步骤之后,且第二主刻蚀步骤之前,还包括:
第二稳定步骤,所述第二稳定步骤提供第二准备刻蚀气体。
12.如权利要求11所述的干法刻蚀方法,其特征在于,所述第二准备刻蚀气体与所述第二刻蚀气体相同。
13.如权利要求9所述的干法刻蚀方法,其特征在于,在所述第二附加刻蚀步骤之后,还包括:依次进行的第三主刻蚀步骤和第三附加刻蚀步骤,其中,
所述第三主刻蚀步骤采用第三主刻蚀射频功率及第三刻蚀气体;
所述第三附加刻蚀步骤采用第三附加刻蚀射频功率及第三惰性气体。
14.如权利要求13所述的干法刻蚀方法,其特征在于,所述第三主刻蚀射频功率与所述第三附加刻蚀射频功率相同。
15.如权利要求13所述的干法刻蚀方法,其特征在于,在所述第二附加刻蚀步骤之后,且第三主刻蚀步骤之前,还包括:
第三稳定步骤,所述第三稳定步骤提供第三准备刻蚀气体。
16.如权利要求15所述的干法刻蚀方法,其特征在于,所述第三准备刻蚀气体与所述第三刻蚀气体相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造