[发明专利]半导体硅片的清洗工艺腔及半导体硅片的清洗工艺

权利要求书

1.一种半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述清洗工艺腔内部具有可旋转的多面柱体，每个柱面上设置有盖板，所述盖板上具有一个或多个进口，每个柱面上固定有旋转元件，所述旋转元件上设置有硅片，所述旋转元件能够旋转至所述盖板盖住所述硅片的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，当所述旋转元件旋转至所述盖板盖住所述硅片，并且所述盖板与所述硅片平行时，所述盖板与所述硅片之间具有0.5毫米至3毫米的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述进口为液体进口，所述液体进口连接有液体管路，通过所述液体进口的清洗液的压力为5至50磅/平方英寸。

4.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述盖板上还具有一个或多个气体进口，所述气体进口连接有气体管路。

5.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述旋转元件上设置有硅片支架用于固定所述硅片。

6.根据权利要求5所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述硅片支架的内部分布有真空管路。

7.根据权利要求1至6中任一项的所述半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述柱面的数量为4个至12个。

8.根据权利要求1至6中任一项的所述半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述盖板上设置有超声波振荡器，所述超声波振荡器的数量为对应每个硅片设置1个至4个，每个超声波振荡器的功率为到达硅片表面0.5至5瓦特每平方厘米，工作频率为0.2至3兆赫兹。

9.根据权利要求1至6中任一项的所述半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述盖板的材质为陶瓷，直径为10至40英寸，厚度为1至20毫米。

10.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述旋转元件为机械臂。

11.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，所述盖板的边缘向下弯曲，形成导流护罩。

12.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗工艺腔，其特征在于，在相邻的两个所述柱面之间设置有隔板。

13.一种利用如权利要求1的清洗工艺腔的半导体硅片的清洗工艺，其特征在于，包括：

可旋转的多面柱体的一个柱面正对工艺腔门，将待清洗的硅片放置在与所述柱面固定的旋转元件上；

将所述旋转元件旋转至与盖板平行，所述盖板盖住所述待清洗的硅片；

使清洗液通过所述盖板上的进口流到所述待清洗的硅片表面进行清洗；

多面柱体旋转使其他柱面依次正对工艺腔门，在所述其他柱面正对工艺腔门时，重复上述步骤；

当所述待清洗的硅片清洗完毕，且清洗完毕的硅片所对应的柱面再次正对所述工艺腔门时，所述多面柱体停止旋转，将所述旋转元件旋转，使所述清洗完毕的硅片远离所述盖板，取出所述清洗完毕的硅片。

14.根据权利要求13的半导体硅片的清洗工艺，其特征在于，通过外部机械臂将所述待清洗的硅片放置在所述旋转元件上以及取出所述清洗完毕的硅片。

15.根据权利要求13的半导体硅片的清洗工艺，其特征在于，所述旋转元件上设置有硅片支架，将所述硅片固定在所述硅片支架上。

16.根据权利要求13的半导体硅片的清洗工艺，其特征在于，所述盖板上还具有一个或多个气体进口，所述气体进口连接有气体管路，将气体通过气体进口喷到硅片表面，使其快速干燥。

17.根据权利要求16的半导体硅片的清洗工艺，其特征在于，所述气体为高纯氮气或异丙醇蒸汽。