[发明专利]用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物、组合物以及使用所述组合物形成半导体装置图案的方法

权利要求书

1.一种用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物，其包括由以下通式1所示的重复单元：

通式1

其中R₁是氢原子、氟原子、甲基基团、C1-C20氟烷基基团或C1-C5羟烷基基团，R₂是C1-C10直链或支链烷撑基团或烷叉基团或C5-C10环烷撑基团或环烷叉基团，X是

其中n是0到5的整数，且*表示所述通式1排除X后的剩余部分，

m是X的化学计量系数，是1或2。

2.根据权利要求1所述的用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物，其中，基于所述聚合物的全部重复单元的重量，所述通式1的重复单元的量的范围为1-100重量％，且所述聚合物的重均分子量范围为1000至100000。

3.根据权利要求1所述的用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物，其中，所述通式1代表的重复单元是选自由以下通式1a至通式1o所示的重复单元所组成的组中的一种或几种：

通式1a

通式1b

通式1c

通式1d

通式1e

通式1f

通式1g

通式1h

通式1i

通式1j

通式1k

通式1l

通式1m

通式1n

通式1o

4.根据权利要求1所述的用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物，其中，所述聚合物是由以下通式2所示的化合物：

通式2

其中R₁、R₂、X和m如上述有关通式1定义，R₃是氢原子或包括至少一个羟基基团或羧基基团的C1-C25直链或支链烷基基团或C5-C25环烷基基团，p是0到3的整数，并且a和b是它们相应的重复单元的系数，其中，基于所述聚合物的重量，由所述系数a表示的重复单元的量的范围是1-99重量％，并且基于所述聚合物的重量，由所述系数b表示的重复单元的量的范围是1-99重量％。

5.根据权利要求1所述的用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物，其中，所述聚合物是由以下通式3所示的化合物：

通式3

其中R₁，R₂、X和m如上述有关通式1定义，R₃是氢原子或包括至少一个羟基基团或羧基基团的C1-C25直链或支链烷基基团或C5-C25环烷基基团，R₄是未取代的或被至少一个氟原子取代的C1-C25直链或支链烷基基团或C5-C25环烷基基团，p是0到3的整数，并且a、b和c是它们相应的重复单元的系数，

其中，基于所述聚合物的量，由所述系数a表示的重复单元的量的范围是1-98重量％，基于所述聚合物的量，由所述系数b表示的重复单元的量的范围是1-98重量％，并且基于所述聚合物的量，所述系数c表示的重复单元的量的范围是1-98重量％。

6.根据权利要求1所述的用于形成抗蚀剂保护膜的聚合物，其中，所述聚合物是由以下通式4所示的化合物：

通式4

其中R₁、R₂、X和m如上述有关通式1定义，R₄是C1-C25直链或支链烷基基团、或未取代的或被至少一个氟原子取代的C5-C25环烷基基团，q是0到3的整数，并且a、c和d是它们相应的重复单元的系数，

其中，基于所述聚合物的量，由所述系数a表示的重复单元的量的范围是1-98重量％，基于所述聚合物的量，由所述系数c表示的重复单元的量的范围是1-98重量％，并且基于所述聚合物的量，所述系数d表示的重复单元的量的范围是1-98重量％。