[发明专利]多晶硅清洗方法在审
| 申请号： | 201110186651.0 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102251242A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王晓楠;侯俊峰;杨光军;胡永;李峰 | 申请（专利权）人： | 国电宁夏太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 753202 宁夏回族自治区石*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 清洗 方法 | ||
1.一种多晶硅清洗方法，其特征在于，包括：
将多晶硅置于SC-1清洗液中对其进行第一次清洗；
采用纯水对所述多晶硅进行第一次漂洗；
采用臭氧对所述多晶硅进行第一次干燥处理；
将多晶硅置于硝酸和氢氟酸的混合溶液中对其进行第二次清洗；
采用纯水对所述多晶硅进行第二次漂洗。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用纯水对所述多晶硅进行第二次漂洗之后，还包括：
将多晶硅置于通有臭氧的氢氟酸溶液中对其进行第三次清洗；
采用纯水对所述多晶硅进行第三次漂洗。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用纯水对所述多晶硅进行第三次漂洗之后，还包括：
将多晶硅置于氢氟酸溶液中对其进行第四次清洗；
采用纯水对所述多晶硅进行第四次漂洗；
采用臭氧对所述多晶硅进行第二次干燥处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SC-1清洗液是由体积比为0.05∶1∶5的NH4OH、H2O2和H2O所组成的混合溶液。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对多晶硅进行第一次清洗时的温度为45℃～55℃，清洗时间为1min～4min。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对多晶硅进行第二次清洗时的温度为18℃～20℃，清洗时间为1min～4min。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对多晶硅进行第三次清洗时所用氢氟酸溶液中水和氢氟酸的体积比为9∶1，且氢氟酸的浓度为49％，清洗时间为1min～4min。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对多晶硅进行第四次清洗时所用氢氟酸溶液中水和氢氟酸的体积比为9∶1，且氢氟酸的浓度为49％，清洗时间为1min～3min。
9.根据权利要求1～8任一项所述的方法，其特征在于，对多晶硅进行第二次清洗时，所述混合溶液中硝酸和氢氟酸的体积比为9∶1，且硝酸的浓度为69％，氢氟酸的浓度为49％。
10.根据权利要求1～8任一项所述的方法，其特征在于，所述多晶硅包括：电子级多晶硅、硅芯或硅芯母料。
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