[发明专利]功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺

权利要求书

1.一种功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底；

在半导体衬底中制作出沟槽；

在沟槽表面及衬底表面制作牺牲氧化层；

去除牺牲氧化层；

采用化学气相沉积工艺在沟槽表面及衬底表面沉积栅氧化层；

在栅氧化层上沉积多晶硅；

去除沟槽外的栅氧化层及多晶硅；

依次掺杂形成沟道区及源掺杂区，并完成栅电极、源电极和漏电极的制作。

2.如权利要求所述的制作工艺，其特征在于，所述化学气相沉积工艺为低压化学气相沉积工艺。

3.如权利要求2所述的制作工艺，其特征在于，所述低压化学气相沉积工艺为高温氧化沉积工艺。

4.如权利要求3所述的制作工艺，其特征在于，所述栅氧化层为450埃～1200埃、反应温度为720-900摄氏度、操作压力在0.1托尔-1托尔之间以及反应气体为SiH₂Cl₂及N₂O。

5.如权利要求1所述的制作工艺，其特征在于，所述化学气相沉积工艺为等离子增强化学气相沉积工艺。

6.如权利要求9所述的制作工艺，其特征在于，所述等离子增强化学气相沉积工艺的反应温度低于400摄氏度。