[发明专利]用于版图原理图一致性验证的MOS晶体管建模方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管建模方法，其中所述MOS晶体管具有深阱，其特征在于所述MOS晶体管建模方法包括：

为所述MOS晶体管建立一个MOS晶体管电路及衬底电路，其中MOS晶体管电路包括栅极、漏极、源极以及衬底极；并且所述衬底电路包括第一二极管，该第一二极管由P阱和深N阱构成，其中所述第一二极管的输入端与所述MOS晶体管电路相连。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管建模方法，其特征在于，所述MOS晶体管建模方法用于版图原理图一致性验证。

3.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管建模方法，其特征在于，所述MOS晶体管为N型MOS晶体管或P型MOS晶体管。

4.根据权利要求1或2所述的MOS晶体管建模方法，其特征在于，所述衬底电路还包括第二二极管，所述第二二极管由深N阱和P型衬底构成，并且其中所述第一二极管的输出端与所述第二二极管的输出端相连。

5.一种版图原理图一致性验证方法，其特征在于，其特征在于采用了根据权利要求1至4之一所示的MOS晶体管建模方法。

6.根据权利要求5所述的版图原理图一致性验证方法，其特征在于还包括导出所述二极管的具体物理几何参数的步骤。

7.一种集成电路物理验证方法，其特征在于采用了根据权利要求6所示的版图原理图一致性验证方法。

8.一种集成电路设计方法，其特征在于在集成电路设计的验证过程中采用了根据权利要求7所示的集成电路物理验证方法。