[发明专利]CMOS图像传感器及制作方法有效
| 申请号： | 201110187406.1 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102222681A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 吴小利;唐树澍;张克云;周雪梅;巨晓华;饶金华 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制作方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器，至少包括光电二极管，其特征在于，所述光电二极管中至少包含一条沟道，且在所述光电二极管垂直于轴向的横向方向上，所述沟道具有最大掺杂浓度。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述沟道的电势高于所述光电二极管中其它区域的电势。
3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述沟道为n型掺杂。
4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述沟道位于所述光电二极管中间，使得所述光电二极管关于所述沟道呈轴对称分布结构。
5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光电二极管包含多条沟道，且在所述光电二极管的横向方向上，至少有一条沟道具有最大掺杂浓度。
6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述各条沟道具有不同的掺杂浓度，且每条沟道的掺杂浓度大于所述光电二极管横向方向上非沟道区域的掺杂浓度。
7.如权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述各条沟道具有相同的掺杂浓度，且每条沟道的电势为所述光电二极管横向方向的最大掺杂浓度。
8.一种CMOS图像传感器制作方法，包括形成光电二极管以及分别形成PMOS和NMOS，其特征在于，包括：通过形成MOS晶体管过程中的浅掺杂离子注入工艺，在光电二极管中形成沟道，使得在所述光电二极管垂直于轴向的横向方向上，所述沟道具有最大掺杂浓度。
9.如权利要求8所述的CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，所述通过形成MOS晶体管过程中的浅掺杂离子注入工艺在光电二极管中形成沟道包括：设置光电二极管中需形成沟道的区域；在进行浅掺杂离子注入工艺步骤时，对所设定的沟道区域进行离子注入，从而在光电二极管中形成所述沟道。
10.如权利要求8所述的CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，所述浅掺杂离子注入为NLDD。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
