[发明专利]一种优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法无效
| 申请号： | 201110188025.5 | 申请日： | 2011-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102867879A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 周艺;肖斌;黄燕;李华维;何俊明;郭长春;欧衍聪 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 优化 太阳能电池 扩散 方块 电阻 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法，其步骤主要分为以下四步。
2.（1）将硅片放入扩散炉中，在硅片表面制作一层SiO2氧化层，将温度控制在850℃~870℃，再通入1800ml/min的干氧（氧气）和24000ml/min的大氮（氮气），通入的时间为150s。
3.（2）进行一次扩散，其中一次扩散中又分为两小步扩散，第一小步扩散通入31000ml/min的大氮，2200ml/min干氧和1600ml/min小氮（用氮气带入液态的三氯氧磷），通入时间控制在500s。
4.第二小步扩散通入31000ml/min的大氮，2200ml/min干氧和1900ml/min小氮，通入时间为1200s。
5.（3）进行二次扩散，扩散温度控制在830℃，扩散时间为150s（进行磷浓度的再分布）。
6.（4）进行降温处理，将硅片取出。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤（1）中通过调节干氧流量来控制氧化层厚度，以及（2）中的调节小氮和干氧流量及两者流量比来改善方块电阻均匀性。
8.权利要求1中优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法，其应用在晶硅太阳能电池扩散工艺中，具有良好效果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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