[发明专利]光器件晶片的分割方法有效

专利信息
申请号: 201110188100.8 申请日: 2011-07-06
公开(公告)号: CN102315169A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 相川力 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;B23K26/38
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 器件 晶片 分割 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及沿着间隔道分割光器件晶片的光器件晶片的分割方法,所述光器件晶片在蓝宝石基板的表面上的、由形成为格子状的多个间隔道划分出的多个区域中形成有光器件。

背景技术

在光器件制造工序中,在大致圆板形状的蓝宝石基板的表面层叠由氮化镓类化合物半导体构成的光器件层,并且,在由形成为格子状的多个间隔道划分出的多个区域中形成发光二极管、激光二极管等光器件,从而构成光器件晶片。然后,沿着间隔道分割光器件晶片而制造出一个个光器件。

通常,通过被称为划片机(dicer)的切削装置来进行上述光器件晶片的沿着间隔道的切断。该切削装置具备:卡盘台,其保持被加工物;切削单元,其用于对保持于该卡盘台上的被加工物进行切削;以及切削进给单元,其使卡盘台与切削单元相对移动。切削单元包含旋转主轴、装配于该旋转主轴上的切削刀具、以及驱动旋转主轴旋转的驱动机构。切削刀具由圆盘状的基座和装配于该基座的侧面外周部上的环状的切削刃构成,切削刃例如通过电铸将粒径为3μm左右的金刚石磨粒固定于基座而形成,并且其厚度形成为20μm左右。

然而,由于构成光器件晶片的蓝宝石基板的莫氏硬度高,所以利用上述切削刀具进行的切断未必容易。因此,不能增大切削刀具的切入量,而需要多次实施切削工序来切断光器件晶片,所以存在生产性较差的问题。

为了消除上述问题,提出了这样的方法:通过从光器件晶片的一面侧沿着间隔道照射对于光器件晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线来形成作为断裂起点的激光加工槽,沿着形成了该作为断裂起点的激光加工槽的间隔道施加外力,由此使光器件晶片沿着间隔道断裂(例如,参照专利文献1)。

【专利文献1】日本特开平10-305420号公报

然而,当沿着形成有作为断裂起点的激光加工槽的间隔道施加外力来使光器件晶片沿着间隔道断裂时,存在这样的问题:断裂面相对于与正面和背面垂直的面倾斜了5~10μm左右而裂开,降低了光器件的亮度。

根据本发明人的研究推断出,光器件晶片的断裂面相对于与正面和背面垂直的面倾斜5~10μm左右而裂开与以下因素有关:构成蓝宝石基板的蓝宝石的结晶方位以及通过照射激光光线而生成的细微裂纹。

即,如图1所示,光器件晶片2在形成有表示蓝宝石的结晶方位的定向平面(Orientation Flat)21的蓝宝石基板的正面2a,在由与定向平面21平行的多个第1间隔道22和与定向平面21垂直的多个第2间隔道23划分出的区域中,形成有光器件24。构成光器件晶片2的蓝宝石基板在与定向平面21垂直的方向上且与正面和背面倾斜地形成有作为R面的结晶层。因此,当沿着第1间隔道22照射激光光线时,在激光加工槽的下侧沿着R面较深地形成了细微的裂纹。因此,当沿着激光加工槽(该激光加工槽是沿着第2间隔道23形成的)施加外力而使光器件晶片2断裂时,受到在沿着第1间隔道22形成的激光加工槽的下侧生成的细微裂纹的影响而沿着R面断裂,因此断裂面相对于正面和背面倾斜地裂开。

发明内容

本发明正是鉴于上述情况而完成的,其主要的技术课题在于提供一种光器件晶片的分割方法,能够以断裂面与正面和背面垂直的方式沿着间隔道分割形成在蓝宝石基板表面的光器件晶片。

为了解决上述主要的技术课题,根据本发明,提供一种光器件晶片的分割方法,该分割方法沿着第1间隔道和第2间隔道将光器件晶片分割成各个光器件,其中,所述光器件晶片在形成有表示蓝宝石的结晶方位的定向平面的蓝宝石基板的正面,在由与定向平面平行的多个第1间隔道和与定向平面垂直的多个第2间隔道划分出的区域中,形成有光器件,该分割方法的特征在于,包含以下工序:

第1激光加工槽形成工序,从光器件晶片的正面或背面侧沿着第1间隔道照射激光光线,在光器件晶片的正面或背面形成作为断裂起点的第1激光加工槽;

第2激光加工槽形成工序,从光器件晶片的正面或背面侧沿着第2间隔道照射激光光线,在光器件晶片的正面或背面形成作为断裂起点的第2激光加工槽;

第1断裂工序,沿着实施了该第1激光加工槽形成工序和该第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第1间隔道施加外力,使光器件晶片沿第1激光加工槽断裂,其中,该第1激光加工槽是沿着第1间隔道形成的;以及

第2断裂工序,沿着实施了该第1激光加工槽形成工序和该第2激光加工槽形成工序后的光器件晶片的第2间隔道施加外力,使光器件晶片沿第2激光加工槽断裂,其中,该第2激光加工槽是沿着第2间隔道形成的,

该第2激光加工槽的深度被设定为比该第1激光加工槽的深度深。

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