[发明专利]一种降低单耗的正面电极设计方法无效
| 申请号： | 201110188584.6 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102254995A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 赵丽艳;俞超 | 申请（专利权）人： | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314206 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 正面 电极 设计 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低单耗的正面电极设计方法，其特征在于，包括如下步骤，
第一步：将正电极网版的线宽设置为50-90um；
第二步：将主栅线设计成若干行，每行设计若干个小孔；
第三步：主栅线四周与硅片边缘之间的距离为0.15-0.25mm；
第四步：在主删线中间均匀分布孔径d为0.06mm至0.12mm的不同尺寸圆孔，相邻两排圆孔采用相间式排列，即一排N个孔，另一排N-1个孔；
第五步：相邻两排孔的中心间距H为2d±0.005mm；
第六步：同一排的相邻两孔的中心间距M为2d±0.005mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
