[发明专利]半导体物理量传感器有效
| 申请号： | 201110189222.9 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102374916A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 大矢晃示 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | G01L9/04 | 分类号： | G01L9/04;G01L19/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 物理量 传感器 | ||
1.一种半导体物理量传感器，包括：
包括半导体衬底(21)和支承所述半导体衬底(21)的芯片基底(30)的传感器芯片(20)，其中所述半导体衬底(21)配置有用于检测物理量的感测部分(20a)；
支承所述传感器芯片(20)的支承构件(40)；以及
接合所述芯片基底(30)和所述支承构件(40)的粘结剂(50)，其中
所述粘结剂(50)是通过混合主要由树脂制成的粘结基体材料(51)和主要由交联树脂制成的粒状材料(52)获得的。
2.根据权利要求1所述的半导体物理量传感器，其中所述交联树脂是交联聚丙烯酸酯。
3.根据权利要求1所述的半导体物理量传感器，其中所述交联树脂是丙烯腈基树脂。
4.根据权利要求1所述的半导体物理量传感器，其中所述交联树脂是酚醛树脂。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体物理量传感器，其中所述粒状材料包括固体球形颗粒。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体物理量传感器，其中所述粒状材料包括空心球形颗粒。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体物理量传感器，其中所述粘结基体材料(51)主要由橡胶基成分制成。
8.根据权利要求7所述的半导体物理量传感器，其中所述橡胶基成分是氟硅橡胶。
9.根据权利要求7所述的半导体物理量传感器，其中所述橡胶基成分是硅橡胶。
10.根据权利要求7所述的半导体物理量传感器，其中所述橡胶基成分是氟橡胶。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体物理量传感器，其中所述支承构件(40)由陶瓷制成。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体物理量传感器，其中
所述半导体衬底(21)是硅衬底，
所述硅衬底具有通过蚀刻所述硅衬底的(110)面而形成的凹腔(22)，并且
所述感测部分(20a)包括限定所述凹腔(22)的下表面的隔膜(23)以及设置在所述隔膜(23)上的多个应变测量电阻器(R1-R4)。
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