[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

第1电极；

在与所述第1电极之间生成等离子体的第2电极；

在与所述第1电极之间生成等离子体的第3电极；

气体导入部，在所述第1电极与所述第2电极之间的空间、及所述第1电极与所述第3电极之间的空间中导入气体；和

电压施加部，在所述第1电极与所述第2电极之间、及所述第1电极与所述第3电极之间施加电压，

在所述等离子体处理装置中还具有：

第1间隔改变部或第2间隔改变部，所述第1间隔改变部改变所述第1电极与所述第2电极之间的间隔，所述第2间隔改变部改变所述第1电极与所述第3电极之间的间隔；和

控制部，控制所述第1间隔改变部或所述第2间隔改变部的间隔改变操作和所述电压施加部的电压施加操作。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

具有所述第1间隔改变部及所述第2间隔改变部，

所述第2间隔改变部独立于所述第1间隔改变部地进行间隔改变操作。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在所述第2电极上载置被处理物，

所述控制部进行如下控制：在所述第1电极与所述第3电极之间开始等离子体生成时，使所述第1电极与所述第3电极之间的间隔小于所述第1电极与所述第2电极之间的间隔，在所述等离子体生成开始后，使所述第1电极与所述第3电极之间的间隔大于所述第1电极与所述第2电极之间的间隔。

4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在所述第2电极上载置被处理物，

所述控制部进行如下控制：在所述第1电极与所述第3电极之间开始等离子体生成时，使所述第1电极与所述第3电极之间的间隔小于所述第1电极与所述第2电极之间的间隔，在所述等离子体生成开始后，使所述第1电极与所述第2电极之间的间隔与所述第1电极与所述第3电极之间的间隔大致相同。

5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述控制部进行如下控制：使所述第3电极靠近所述第1电极，在所述第1电极与所述第3电极之间的间隔小于所述第1电极与所述第2电极之间的间隔的状态下，在所述第1电极与所述第2电极之间、及所述第1电极与所述第3电极之间施加电压，在所述第1电极与所述第3电极之间生成等离子体，在生成了所述等离子体的状态下，使所述第2电极靠近所述第1电极，在所述第1电极与所述第2电极之间生成等离子体。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述控制部进行如下控制：在所述第1电极与所述第2电极之间生成等离子体后，使所述第3电极远离所述第1电极，使所述第1电极与所述第3电极之间的间隔大于所述第1电极与所述第2电极之间的间隔。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述电压施加部具有所述第1电极、第2电极和第3电极，其中第1电极与交流电源连接，第2电极及第3电极接地。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第2电极的与所述第1电极对置的面为导体，所述第3电极的与所述第1电极对置的面为电介质。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第3电极的与所述第1电极对置的面的表面积小于所述第2电极的与所述第1电极对置的面的表面积。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

具有第1气体限制壁，所述第1气体限制壁包围由所述第1电极和所述第2电极夹持的处理空间，限制气体流出到所述处理空间外。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

在所述第1电极与所述第3电极之间具有第2气体限制壁，所述第2气体限制壁限制气体流出到所述第3电极侧。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，

具有移动装置，所述移动装置使所述第2气体限制壁移动。