[发明专利]一种读出电路偏置结构

权利要求书

1.一种读出电路偏置结构，包括第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、参比电阻（R_b）、热敏电阻（R_s）、运算放大器，其特征在于：还包括温度补偿电阻（R_ts），低温漂的第一电流源（I_sink1）和第二电流源（I_sink2），第三MOS管（M3）和一第四MOS管（M4），其中温度补偿电阻（R_ts）的一端连接于第一MOS管（M1）和第二MOS管（M2）之间，另一端连接第一电流源（I_sink1）的输出端，第一电流源（I_sink1）的输出端连接第三MOS管（M3），第二电流源（I_sink2）的输出端连接第四MOS管（M4），所述第四MOS管（M4）的漏极和栅极相连接并与第三MOS管（M3）的漏极连接，运算放大器的同相输入端连接在第一MOS管（M1）和第二MOS管（M2）之间，反相输入端通过一电阻（R_A）连接在第二电流源（I_sink2）的输出端，所述运算放大器的反相输入端和输出端间并联第一积分复用电容（C_{INT_SH1}）和第二积分复用电容（C_{INT_SH2}）。

2.根据权利要求1所述的读出电路偏置结构，其特征在于：所述参比电阻（R_b）和温度补偿电阻（R_ts）均为与相邻MOS管衬底热短路的电阻型测辐射热计，热敏电阻（R_s）为与其相邻MOS管衬底热隔离的电阻型测辐射热计。

3.根据权利要求1所述的读出电路偏置结构，其特征在于：所述第一MOS管（M1）为NMOS管，第二MOS管（M2）和第三MOS管（M3）为PMOS管，其中，第一MOS管（M1）栅极连接一运算放大器，该运算放大器的同相输入端连接第一集成DAC（V_DAC1），该运算放大器的反相输入端连接在第一MOS管（M1）的源极，第二MOS管（M2）的源极和参比电阻（R_b）之间连接有第二集成DAC（R_DAC2），第二MOS管（M2）的栅极连接另一集成运放，该集成运放的同相输入端连接一第三集成DAC（V_DAC），反相输入端与第二MOS管（M2）的源极连接，所述第三MOS管（M3）的栅极连接第四集成DAC（V_DAC3）。