[发明专利]用于形成导电透明氧化物膜层的设备和方法

权利要求书

1.一种用于在衬底上形成透明导电氧化物层的方法，所述方法包括：

从靶在衬底上溅射透明导电氧化物层，其中所述靶包括锡酸镉，并且其中所述透明导电氧化物层在大约10℃至大约100℃的溅射温度溅射；

将盖罩材料沉积到间接退火系统的外表面上，其中所述盖罩材料包括镉；以及

将所述透明导电氧化物层在大约500℃至大约700℃的退火温度同时与沉积在所述间接退火系统的外表面上的所述盖罩材料接触地或在所述盖罩材料的大约10cm内退火。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述盖罩材料包括硫化镉。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述盖罩材料由硫化镉构成。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中连续带限定所述间接退火系统的外表面使得所述盖罩材料沉积到所述连续带上。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述传送机带具有配置成允许所述传送机带在退火期间与所述透明导电氧化物层接触的张力。

6.如权利要求4或5所述的方法，其中所述间接退火系统进一步包括张力控制系统，其配置成调节所述传送机带离所述透明导电氧化物层的距离。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述张力控制系统包括多个滚轴，其中至少一个滚轴是可移动的以调节所述传送机带中的张力。

8.如权利要求1、2或3所述的方法，其中所述间接退火系统包括形成连续环路的多个板条，使得所述多个板条形成沉积表面和退火表面，其中所述盖罩材料沉积到所述沉积表面上。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述多个板条的所述连续环路具有配置成允许所述退火表面在退火期间与所述透明导电氧化物层接触的张力。

10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述退火气氛进一步包括还原气体。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述还原气体包括硫化氢。

12.如权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述退火温度是大约550℃至大约650℃。

13.一种用于将在衬底(12)上的薄膜层退火的退火炉(100)，所述退火炉(100)包括：

配置成运载衬底通过所述退火炉(100)的运输系统；

配置成将所述退火炉(100)加热到所述退火温度的加热元件(104)；

限定沉积表面和退火表面的间接退火系统(124)，其中沉积在所述间接退火系统的所述退火表面上的盖罩材料安置成与所述衬底12上的薄膜接触或在所述薄膜的大约10cm内；以及，

盖罩材料源(120)，其安置成将所述盖罩材料沉积到所述沉积表面上使得所述退火表面包括所述盖罩材料，其中所述盖罩材料源包括镉。

14.如权利要求13所述的退火炉，其中所述间接退火系统(124)包括围绕至少两个滚轴(136)的连续带(132)，其中所述连续带(132)限定所述沉积表面(133)和所述退火表面(130)，并且其中所述连续带(132)具有配置成调节所述连续带(132)中的张力的张力控制系统(124)，其中所述张力控制系统(124)包括多个滚轴(136)，其中至少一个滚轴(140)是可移动的以调节所述连续带(132)中的张力。

15.如权利要求13所述的退火炉，其中所述间接退火系统(124)包括形成连续环路的多个板条(128)，使得所述多个板条(128)形成沉积表面(129)和退火表面(130)，并且其中所述多个板条(128)的所述连续环路围绕至少两个链轮(126)移动，其中所述链轮(126)中的至少一个是可移动的以调节所述多个板条(128)的所述连续环路的张力。