[发明专利]在衬底上RF溅射薄膜期间电弧检测和抑制的方法

权利要求书

1.一种薄膜从半导体靶到衬底上的溅射期间的电弧抑制的方法，所述方法包括：

将交流从电源施加到所述半导体靶以在所述衬底与所述半导体靶之间形成等离子体，其中所述交流具有大约500kHz到15MHz的频率；

在从所述靶延伸的电弧形成时识别电弧特性，其中所述电弧特性由从初始溅射等离子体电压到电弧等离子体电压的等离子体电压的减小以及从初始溅射反射功率到电弧反射功率的反射功率的同时增大来定义；以及，

在识别到所述电弧特性时，中断从所述电源到所述半导体靶的所述交流以抑制从所述靶延伸的所述电弧。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

在中断从所述电源到所述半导体靶的所述交流后，将所述交流从所述电源重新施加到所述半导体靶。

3.如权利要求2所述的方法，其中对于指定的时间中断所述交流以便熄灭所述电弧并保持所述衬底与所述半导体靶之间的所述等离子体。

4.如权利要求2所述的方法，其中对于大约1μs到大约100ms中断所述交流。

5.如权利要求2所述的方法，其中对于大约10μs到大约1ms中断所述交流。

6.如权利要求2所述的方法，其中对于大约100μs到大约500μs中断所述交流。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述电弧等离子体电压是所述初始等离子体电压的大约25％或更少，以及其中所述电弧反射功率是所述初始溅射反射功率的大约25％或更多。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述电弧等离子体电压是所述初始等离子体电压的大约33％或更少，以及其中所述电弧反射功率是所述初始溅射反射功率的大约33％或更多。

9.如权利要求1所述的方法，其中在不到大约1秒内，所述等离子体电压从所述初始溅射等离子体电压减小到所述电弧等离子体电压，并且所述反射功率从初始溅射反射功率增大到电弧反射功率。

10.如权利要求1所述的方法，其中在从大约10μs到大约100ms内，所述等离子体电压从所述初始溅射等离子体电压减小到所述电弧等离子体电压，并且所述反射功率从初始溅射反射功率增大到电弧反射功率。

11.如权利要求1所述的方法，其中在从大约50μs到大约1ms内，所述等离子体电压从所述初始溅射等离子体电压减小到所述电弧等离子体电压，并且所述反射功率从初始溅射反射功率增大到电弧反射功率。

12.如权利要求1所述的方法，其中在从大约100μs到大约500μs内，所述等离子体电压从所述初始溅射等离子体电压减小到所述电弧等离子体电压，并且所述反射功率从初始溅射反射功率增大到电弧反射功率。

13.一种用于在检测和抑制电弧形成的同时在玻璃上衬底上溅射硫化镉层的方法，所述方法包括：

将交流从电源施加到硫化镉靶以在所述玻璃上衬底与所述靶之间形成等离子体，其中所述交流具有大约500kHz到15MHz的频率；

在从所述靶延伸的电弧形成时识别电弧特性，其中所述电弧特性由从初始溅射等离子体电压到电弧等离子体电压的等离子体电压的减小以及从初始溅射反射功率到电弧反射功率的反射功率的同时增大来定义；以及，

在识别到所述电弧特性时，中断从所述电源到所述靶的所述交流以抑制从所述靶延伸的所述电弧。

14.如权利要求13所述的方法，还包括：

在中断从所述电源到所述靶的所述交流后，将所述交流从所述电源重新施加到所述靶。

15.如权利要求14所述的方法，其中对于指定的时间中断所述交流以便熄灭所述电弧并保持所述衬底与所述半导体靶之间的所述等离子体。

16.如权利要求14所述的方法，其中对于大约1μs到大约100ms中断所述交流。

17.如权利要求13所述的方法，其中所述电弧等离子体电压是所述初始等离子体电压的大约25％或更少，以及其中所述电弧反射功率是所述初始溅射反射功率的大约25％或更多。

18.如权利要求13所述的方法，其中所述电弧等离子体电压是所述初始等离子体电压的大约50％或更少，以及其中所述电弧反射功率是所述初始溅射反射功率的大约50％或更多。