[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板包含：

基板；

扫描信号线，沿一水平方向设置于所述基板上，并具有一第一侧边与一相对于第一侧边的第二侧边；

数据信号线，沿一垂直方向设置于所述基板上而与所述扫描信号线彼此绝缘交错；

薄膜晶体管，形成于所述扫描信号线与所述数据信号线交叉处附近，并包含一栅极电极、一半导体层、一漏极电极及一源极电极，其中所述栅极电极为所述扫描信号线的一部分并具有一开口，所述开口位于所述栅极电极的中央并延伸至扫描信号线的第一侧边；所述半导体层绝缘地设于所述栅极电极上方；所述漏极电极设于所述半导体层上且位置对应所述栅极电极的开口；所述源极电极自所述数据信号线的一侧边延伸出，并沿着所述半导体层的边缘环绕所述漏极电极及所述栅极电极的开口；以及

补偿电极，自所述扫描信号线的第二侧边一体延伸出并对应所述栅极电极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述栅极电极的开口呈矩形。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述漏极电极呈倒T字形而包含一水平部及一垂直部，所述水平部与所述扫描信号线的第一侧边及第二侧边平行，并对应所述栅极电极的开口；所述垂直部自所述水平部一侧延伸而与所述扫描信号线的第一侧边垂直，并对应所述栅极电极的开口。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述垂直部的宽度小于所述栅极电极的开口的宽度。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述补偿电极的面积与所述开口的面积相等。

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述补偿电极呈梯形。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述补偿电极与所述数据信号线之间的距离大于3.5微米。

8.一种薄膜晶体管阵列基板的制法，其特征在于：所述制法包含下列步骤：

于基板上形成扫描信号线及补偿电极，其中所述扫描信号线包含一第一侧边、一相对于第一侧边的第二侧边及一开口，所述开口延伸至所述第一侧边；所述补偿电极自所述扫描信号线的第二侧边延伸出；于扫描信号线上形成一第一绝缘层；

于第一绝缘层上形成一半导体层，其中所述半导体层对应位于所述开口上；以及

于基板上形成数据信号线、漏极电极及源极电极，其中所述数据信号线与所述扫描信号线彼此绝缘交错，所述漏极电极位于所述半导体层上并对应所述扫描信号线的开口，所述源极电极自所述数据信号线的一侧边延伸出而位于所述半导体层上，并沿着所述半导体层的边缘环绕所述漏极电极及所述栅极电极的开口。

9.如权利要求8所述薄膜晶体管阵列基板的制法，其特征在于：所述制法进一步包含下列步骤：

于半导体层、漏极电极及源极电极上方形成第二绝缘层，其中所述第二绝缘层具有一开孔；所述开孔对应使所述漏极电极部分裸露；以及

于所述扫描信号线与数据信号线所定义的像素区内形成像素电极，其中所述像素电极通过所述第二绝缘层的开孔连接所述漏极电极。

10.如权利要求9所述薄膜晶体管阵列基板的制法，其特征在于：所述补偿电极呈梯形，且与所述数据信号线之间的距离大于3.5微米。