[发明专利]扫描镀膜装置及扫描镀膜组件有效
| 申请号： | 201110190163.7 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102312212A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 赵军;梅芳 | 申请（专利权）人： | 上方能源技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C16/54 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 赵卫康 |
| 地址： | 311215 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扫描 镀膜 装置 组件 | ||
1.一种扫描镀膜装置，包括镀膜源(1)、真空腔体室(2)和基板传输模块，其特征在于：所述镀膜源(1)为PVD源、LPCVD源、PECVD源或ALD源；
所述真空腔体室(2)包围所述镀膜源(1)；
所述镀膜源(1)的镀膜源工作面(11)与水平面所成角度为α，65＜α＜90或90＜α＜115°。
2.根据权利要求1所述的一种扫描镀膜装置，其特征在于：所述镀膜源工作面(11)与水平面所成角度为80～100°。
3.根据权利要求1～2任一项所述的一种扫描镀膜装置，其特征在于：所述镀膜源(1)为PECVD源，所述PECVD源具有两个相背的镀膜源工作面(11)。
4.根据权利要求1～2任一项所述的一种扫描镀膜装置，其特征在于：所述镀膜源(1)为ALD源，所述真空腔体室(2)内具有反应前体A区域、清洗气体区域和反应前体B区域，所述清洗气体区域分隔所述反应前体A区域和反应前体B区域。
5.根据权利要求1～2任一项所述的一种扫描镀膜装置，其特征在于：所述ALD源具有两个相背的镀膜源工作面(11)。
6.根据权利要求4所述的一种扫描镀膜装置，其特征在于：所述扫描镀膜装置中设有多个第二进气管(9)。
7.根据权利要求1～2任一项所述的一种扫描镀膜装置，其特征在于：所述真空腔体室(2)能承受1mtorr～1atm的气压。
8.一种扫描镀膜组件，其特征在于：包括权利要求1～3任一项所述的两个或两个以上同类型的扫描镀膜装置。
9.根据权利要求8所述的一种扫描镀膜组件，其特征在于：所述PECVD源或ALD源具有两个相背的镀膜源工作面(11)。
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