[发明专利]检验图案、图案缝合检验方法及半导体晶片

权利要求书

1.一种双重图案技术中的图案缝合检验图案，包括多个图案线段，所述多个图案线段包括至少一线型端线段及至少一非线型端线段，其特征在于每一图案线段具有一缝合关键尺寸。

2.根据权利要求1所述的双重图案技术中的图案缝合检验图案，其特征在于所述至少一线型端线段包括一垂直线型端线段、一水平线型端线段或一倾斜线型端线段。

3.根据权利要求1所述的双重图案技术中的图案缝合检验图案，其特征在于所述至少一非线型端线段包括至少一转角型线段或至少一T型线段，或上述转角型线段及T型线段的组合。

4.根据权利要求1所述的双重图案技术中的图案缝合检验图案，其特征在于该图案线段包括至少一线型端线段、至少一转角型线段及至少一T型线段。

5.一种利用检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，其特征在于包含以下步骤：

相对于一半导体晶片的至少一区域设置一检验图案，该半导体晶片的所述至少一区域具有一相应该检验图案的目标图案，该检验图案包括多个图案线段，所述多个图案线段包括至少一线型端线段及至少一非线型端线段，且每一图案线段具有一缝合关键尺寸；

比对该目标图案及该检验图案相应的缝合关键尺寸；及

依据缝合关键尺寸的比对结果决定调整该目标图案的图案缝合的方式。

6.根据权利要求5所述的利用检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，其特征在于所述至少一线型端线段包括一垂直线型端线段、一水平线型端线段或一倾斜线型端线段。

7.根据权利要求5所述的利用检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，其特征在于所述至少一非线型端线段包括至少一转角型线段或至少一T型线段，或上述转角型线段及T型线段的组合。

8.根据权利要求5所述的利用检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，其特征在于该图案线段包括至少一线型端线段、至少一转角型线段及至少一T型线段。

9.根据权利要求5所述的利用检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，其特征在于该检验图案相应设置于该半导体晶片的四个角落部分及中间部分，且该检验图案的图案线段相应该半导体晶片的切割线。

10.根据权利要求5所述的利用检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，其特征在于该检验图案相应于由重叠的两个掩膜所构成的图案。

11.根据权利要求10所述的利用检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，其特征在于若该目标图案的一缝合关键尺寸小于相应的该检验图案的一缝合关键尺寸，且该目标图案的较小缝合关键尺寸是因所述两个掩膜的重叠位移所造成，则进行所述两个掩膜的重叠关系的调整。

12.根据权利要求5所述的利用检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，其特征在于若该目标图案的一缝合关键尺寸小于相应的该检验图案的一缝合关键尺寸，且该目标图案的较小缝合关键尺寸是因图案缝合容许量所造成，则进行缝合长度的补偿。

13.一种半导体晶片，包括至少一目标图案，该目标图案相应一于双重图案技术中检验图案缝合的检验图案，该检验图案包括多个图案线段，所述多个图案线段包括至少一线型端线段及至少一非线型端线段，其特征在于每一图案线段具有一缝合关键尺寸。

14.根据权利要求13所述的半导体晶片，其特征在于所述至少一线型端线段包括一垂直线型端线段、一水平线型端线段或一倾斜线型端线段。

15.根据权利要求13所述的半导体晶片，其特征在于该至少一非线型端线段包括至少一转角型线段或至少一T型线段，或上述转角型线段及T型线段的组合。

16.根据权利要求13所述的半导体晶片，其特征在于该图案线段包括至少一线型端线段、至少一转角型线段及至少一T型线段。

17.根据权利要求13所述的半导体晶片，其特征在于该检验图案相应设置于该半导体晶片的四个角落部分及中间部分，且该检验图案的图案线段相应于该半导体晶片的切割线。