[发明专利]有机电致发光显示器件及其制造方法和电子设备

说明书

技术领域

本公开涉及有机EL显示器件、制造有机EL显示器件的方法和电子设备，并且具体地说涉及通过将具有包含电容性元件的电路配置的驱动电路单元安装到与像素阵列部分相同的衬底上而获得的有机EL显示器件、制造其的方法和电子设备。

背景技术

近年来，在执行图像显示的显示器件领域中，以矩阵形状排列像素(像素电路)的扁平型(平板型)显示器件已经迅速地变得普遍。作为扁平型显示器件之一，存在使用所谓的电流驱动型电光元件(其中，发光亮度根据流经该器件的电流值而改变)作为像素的发光元件的显示器件。作为电流驱动型电光元件，存在使用有机电致发光(EL)材料的有机EL元件，其中当将电场施加于有机薄膜上时发光。

使用有机EL元件作为像素的发光元件的有机EL显示器件具有如下特性。具体来说，由于有机EL元件可以由等于或低于10V的电压驱动，因此它具有低功耗。由于有机EL元件是自发光元件，因此与液晶显示器件相比，图像可见度(visibility)出色。此外，由于不需要诸如背光单元之类的照明部件，因此促进了轻重量和薄厚度。此外，由于有机EL元件具有非常快速的响应时间(如，几微秒)，因此当显示运动画面时不会产生余像。

与液晶显示器件类似，考虑驱动方法，可以将有机EL显示器件分类为无源矩阵型和有源矩阵型。这里，无源矩阵型显示器件具有简单的结构，但是随着扫描线(即，像素数量)增大，有机EL元件的发光时段减小。因此，无源矩阵型显示器件具有诸如难以实现大尺寸和高精度显示器件之类的问题。

为此，近年来，继续开发了有源矩阵型显示器件，其中由与电光元件一起在同一像素中提供的有源元件(例如，绝缘栅场效应晶体管)来控制流经电光元件的电流。一般地，薄膜晶体管(TFT)用作绝缘栅场效应晶体管。通过使用有源矩阵型显示器件，由于电光元件跨越单个显示帧时段持续发光，因此易于实现大尺寸和高精度有机EL显示器件。

一般而言，可以理解，有机EL元件的电流I对电压V的特性随着时间经过而恶化(所谓的，时间恶化)。特别地，当N沟道TFT用作驱动有机EL元件的晶体管(在下文中，称为“驱动晶体管”)时，当由于时间经过而使得有机EL元件的I-V特性恶化时，驱动晶体管的栅-源电压V_gs改变。因此，有机EL元件所发光的亮度改变。

另外，驱动晶体管的阈值电压V_th或迁移率μ可能随时间改变，或者可能由于制造工艺的偏差而在每一个像素中不同。当在每一个像素中阈值电压V_th或迁移率μ不同时，在每一个像素中流经驱动晶体管的电流值偏移。结果，即使当将均匀的电压施加到各像素的驱动晶体管的栅极之间，从有机EL元件发出的光的亮度也在各像素之间偏移。因此，显示均匀性恶化。

在这一点上，向像素电路提供各种校正(补偿)功能性，以便恒定地保持从有机EL元件发出的光的亮度，而没有来自有机EL元件的I-V特性的时间恶化或驱动晶体管的晶体管特性的时间改变的影响(例如，参照日本待审专利申请公开No.2008-083272)。

发明内容

在上述有源矩阵型有机EL显示器件中，像素阵列部分周围的驱动电路部分(例如，用于顺序地选择每一像素的扫描电路)基本上包括移位寄存器电路作为主要组件。另外，扫描电路在移位寄存器电路的每一个传送级(transfer stage)具有缓冲器电路以与像素阵列部分的每一行匹配。另外，移位寄存器电路或缓冲器电路一般包括反相器电路。

然而，为了降低成本的目的，驱动电路部分通常使用单沟道晶体管来配置。这里，单沟道晶体管仅指N沟道晶体管或仅指P沟道晶体管。另外，当移位寄存器电路或缓冲器电路中包括的反相器电路使用单沟道晶体管来配置时，采用通过将晶体管与电容性元件组合而获得的电路配置，以便保证反相器电路的可靠操作(如下面将详细描述的那样)。

以这种方式，如果驱动电路部分使用具有与电容性元件组合的单沟道晶体管的反相器电路来配置，则在全部驱动电路部分中使用的电容性元件的数量显著增大。另外，当通过将具有这种配置的驱动电路部分安装到与像素阵列部分相同的衬底上来配置显示面板时，在驱动电路部分内由电容性元件占据的布局区域增大。因此，可能存在这样的问题：像素阵列部分的周边部分(所谓的边框(bezel))可能扩大。

期望提供一种有机EL显示器件，当将具有包括电容性元件的电路配置的反相器电路的驱动电路部分安装到显示面板上时能够缩窄显示面板的边框，以及制造所述EL显示器件的方法和具有所述EL显示器件的电子设备。