[发明专利]用于低成本接收机电路的LNA电路

权利要求书

1.一种低噪声放大器(LNA)，包括：

输入端子，用于接收输入信号；

输出端子；

第一和第二电容器，所述第一电容器包括：耦合于所述输入端子的第一电极，以及第二端子，所述第二电容器包括：耦合于所述输入端子的第一电极，以及第二电极；

第一晶体管，包括：耦合于所述第一电容器的第二电极的源极、被配置成接收第一直流(DC)偏置信号的栅极、耦合于所述输出端子的漏极；以及

第二晶体管，包括：耦合于所述第二电容器的第二电极的源极、被配置成接收第二DC偏置信号的栅极、耦合于所述输出端子的漏极。

2.如权利要求1所述的LNA，其特征在于，所述第一晶体管具有第一宽-长比；

其中所述第二晶体管具有第二宽-长比；以及

其中所述第一和第二宽-长比被配置成获得跨工艺角的所期望的二阶输入参照截点(IIP2)性能。

3.如权利要求1所述的LNA，其特征在于，还包括：

第一电感器，包括：耦合于第一供电端子的第一端子、以及耦合于所述第一晶体管的源极的第二端子；以及

第二电感器，包括：耦合于第二晶体管的源极的第一端子、以及耦合于第二供电端子的第二端子。

4.如权利要求1所述的LNA，其特征在于，所述第一和第二DC偏置信号被配置成控制所述第一和第二晶体管以允许DC电流流过。

5.如权利要求1所述的LNA，其特征在于，还包括：

第一电阻器，包括：耦合于所述第一电容器的第二电极的第一电阻器端子，以及耦合于所述第一晶体管的源极的第二电阻器端子；以及

第二电阻器，包括：耦合于所述第二电容器的第二电极的第一电阻器端子，以及耦合于所述第二晶体管的源极的第二电阻器端子。

6.如权利要求1所述的LNA，其特征在于，所述LNA被配置成使用所述第一和第二晶体管的源极负反馈来降低对跨工艺角的导通电压变化的灵敏度。

7.如权利要求1所述的LNA，其特征在于，还包括：

第三晶体管，包括：耦合于所述第一晶体管的漏极的源极、被配置成接收第三DC偏置信号的栅极、以及耦合于所述输出端子的漏极；以及

第四晶体管，包括：耦合于所述第二电容器的第二电极的源极、被配置成接收第四DC偏置信号的栅极、以及耦合于所述第二晶体管的源极的漏极。

8.如权利要求7所述的LNA，其特征在于，所述第一和第三晶体管是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件，而所述第二和第四晶体管是n沟道金属氧化物半导体(NMOS)器件。

9.一种设备，包括：

输入端子，用于从信号源接收射频(RF)信号；

输出端子，用于提供输出信号；以及

低噪声放大器(LNA)电路，其包括：

耦合于所述输入端子并被配置成提供第一信号路径和第二信号路径的容性电路；以及

晶体管网络，包括串联设置的多个晶体管，所述多个晶体管包括：

第一晶体管，包括：耦合于所述第一信号路径的源极、耦合于输出端子的漏极、以及被配置成接收第一直流(DC)偏置信号的栅极；以及

第二晶体管，包括：耦合于所述第二信号路径的源极、耦合于输出端子的漏极、以及被配置成接收第二DC偏置信号的栅极。

10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述LNA电路还包括：

第一电阻器，包括：耦合于所述第一信号路径的第一电阻器端子、以及耦合于所述第一晶体管的源极的第二电阻器端子；以及

第二电阻器，包括：耦合于所述第二信号路径的第一电阻器端子、以及耦合于所述第二晶体管的源极的第二电阻器端子。

11.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述容性电路包括：

第一电容器，包括：耦合于所述输入端子的第一电极、以及耦合于所述第一晶体管的源极的第二电极；以及

第二电容器，包括：耦合于所述输入端子的第一电极、以及耦合于所述第二晶体管的源极的第二电极；

其中所述第一和第二电容器阻挡DC电流从晶体管网络流至输入端子和通过所述容性电路从第一晶体管的源极流至第二晶体管的源极。

12.如权利要求9所述的设备，其特征在于，还包括：

无源混频器电路，耦合于所述输出端子。