[发明专利]差动放大电路以及串联稳压器

权利要求书

1.一种差动放大电路，其特征在于，具备：

差动输入级，其具有将源极共同连接的一对差动MOS晶体管、在该差动MOS晶体管的漏极端子上分别连接的一对负载元件、在所述一对差动晶体管的共同源极上连接的第一恒流源；

输出级，其具有在栅极端子上接受所述差动输入级的输出节点的电位的输出用MOS晶体管、与该输出用MOS晶体管串联连接的第二恒流源；

与所述第一恒流源或所述第二恒流源并联设置的恒流用MOS晶体管；以及

在栅极端子上被施加了所述输出用MOS晶体管和所述第二恒流源的连接节点的电位的升压电流控制用MOS晶体管，

当在所述一对差动MOS晶体管之一的栅极端子上输入的电压变化时，所述升压电流控制用MOS晶体管被导通，所述恒流用MOS晶体管的电流与所述第一恒流源或所述第二恒流源相加后，流入所述差动输入级或所述输出级。

2.根据权利要求1所述的差动放大电路，其特征在于，

所述第一恒流源或所述第二恒流源由在栅极端子上被施加了预定的偏置电压的MOS晶体管构成，在所述恒流用MOS晶体管的栅极端子上施加所述偏置电压，该恒流用MOS晶体管和所述升压电流控制用MOS晶体管以串联形态连接。

3.一种差动放大电路，其特征在于，具备：

差动输入级，其具有将源极共同连接的一对差动MOS晶体管、在该差动MOS晶体管的漏极端子上分别连接的一对负载元件、在所述一对差动晶体管的共同源极上连接的第一恒流源；

输出级，其具有在栅极端子上接受所述差动输入级的输出节点的电位的输出用MOS晶体管、与该输出用MOS晶体管串联连接的第二恒流源；

与所述第一恒流源并联设置的第一恒流用MOS晶体管；

与所述第二恒流源并联设置的第二恒流用MOS晶体管；以及

在栅极端子上被施加了所述输出用MOS晶体管和所述第二恒流源的连接节点的电位的升压电流控制用MOS晶体管，

当在所述一对差动MOS晶体管之一的栅极端子上输入的电压变化时，所述升压电流控制用MOS晶体管被导通，所述第一恒流用MOS晶体管和所述第二恒流用MOS晶体管的电流分别与所述第一恒流源和所述第二恒流源相加后，流入所述差动输入级和所述输出级。

4.根据权利要求3所述的差动放大电路，其特征在于，

所述第一恒流源以及所述第二恒流源分别由在栅极端子上被施加了预定的偏置电压的MOS晶体管构成，在所述第一以及第二恒流用MOS晶体管的栅极端子上共同施加了所述偏置电压，

对应于所述第一恒流用MOS晶体管设有第一升压电流控制用MOS晶体管，对应于所述第二恒流用MOS晶体管设有第二升压电流控制用MOS晶体管，

所述第一恒流用MOS晶体管和所述第一升压电流控制用MOS晶体管、所述第二恒流用MOS晶体管和所述第二升压电流控制用MOS晶体管分别以串联形态连接。

5.根据权利要求4所述的差动放大电路，其特征在于，

以与所述第二恒流用MOS晶体管成为串联形态的方式连接有在栅极端子上被施加了与所述输出用MOS晶体管相同的电压的电流引出用的MOS晶体管。

6.根据权利要求5所述的差动放大电路，其特征在于，

所述差动放大电路具备：与所述第二恒流用MOS晶体管成为串联形态地连接的第一电流-电压变换用MOS晶体管；与该第一电流-电压变换用MOS晶体管栅极共同连接，构成第一电流镜电路的MOS晶体管；与该MOS晶体管成为串联形态地连接的第二电流-电压变换用MOS晶体管；与该第二电流-电压变换用MOS晶体管栅极共同连接，构成第二电流镜电路的MOS晶体管，

通过所述第一电流镜电路和所述第二电流镜电路反射后的电流，作为漏极电流流过所述输出用MOS晶体管。

7.根据权利要求3所述的差动放大电路，其特征在于，

与所述升压电流控制用MOS晶体管串联地连接被施加了预定的偏置电压的电流用MOS晶体管以及电流-电压变换用MOS晶体管，将所述第一恒流用MOS晶体管和所述第二恒流用MOS晶体管与该电流-电压变换用MOS晶体管栅极共同连接，构成电流镜电路。

8.一种串联稳压器，其特征在于，

所述串联稳压器具备在电压输入端子和输出端子之间连接的控制用的晶体管和权利要求1～7中任一项所述的差动放大电路，

在所述差动输入级的同向输入端子上施加基准电压，在所述差动输入级的反向输入端子上施加所述输出端子的电压或将其分压而得的电压，通过所述输出级的输出节点的电压控制所述控制用的晶体管。