[发明专利]一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法有效
申请号: | 201110191057.0 | 申请日: | 2011-07-08 |
公开(公告)号: | CN102244036A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 郝付泼;谢凡;胡君文;于春崎;李建华;何基强 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/31;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 516600 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 视角 液晶显示器 电极 绝缘 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及广视角液晶显示器技术领域,更具体的说是涉及一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法。
背景技术
为了解决传统液晶显示器由于观看者角度不同而产生亮度以及对比度的差异的现象,广视角液晶显示屏应运而生。广视角液晶显示器是应用横向电场广视角技术(IPS)制作而成,具有广视角、高光效、高对比度等优点。
基于横向电场广视角技术的广角液晶显示器的通用电极和像素电极是制作在同一玻璃基板上的,在通用电极和像素电极之间设置有电极绝缘层(或者称为电场绝缘层)。制作该电极绝缘层的方式主要有化学气相沉积、物理溅射沉积、狭缝涂布或旋转涂布等方式。例如,等离子化学气相沉积技术,是采用辉光放电装置解离相应的气体,使气体发生化学反应和等离子反应在阵列基板(阵列基板是已经完成像素电极或通用电极制作的基板)上沉积形成一层固态薄膜得到绝缘层。电极绝缘层会有一定的厚度可以起到隔离通用电极和像素电极的作用,并能保护基板上的薄膜晶体管。
但是在制作电极绝缘层的过程中会产生数量较多且体积较大的导电微粒,这些导电微粒可能会将像素电极和绝缘电极导通,从而使得制成的广视角显示器在显示时屏幕中会出现一些亮点或断线,影响广视角显示器的显示效果,降低了广视角液晶显示器的生产合格率。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法,该方法在制作电极绝缘层时,能降低生成的导电微粒导通通用电极和像素电极的概率,从而提高生产的广视角显示器的产品合格率。
为实现上述目的,本发明提供一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法,包括:
提供完成像素电极或通用电极制作的阵列基板;
在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;
在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜以生成预设厚度的电极绝缘层。
优选的,所述第一绝缘膜的厚度小于所述电极绝缘层的厚度。
优选的,所述在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜,包括:
采用化学气相沉积技术在所述阵列基板上沉积具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用物理溅射沉积的方式在所述阵列基板上沉积具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用狭缝涂布的方式在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用旋转涂布的方式在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜。
优选的,所述在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜,包括:
采用化学气相沉积技术在所述第一绝缘膜上沉积具有绝缘性质的绝缘膜;
或,采用物理溅射沉积的方式在所述第一绝缘膜上沉积具有绝缘性质的绝缘膜;
或,采用狭缝涂布的方式在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜;
或,采用旋转涂布的方式在所述第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜。
优选的,在所述第一绝缘膜上制作绝缘性质的绝缘膜以生成具有预设厚度的电极绝缘层,包括:
在所述第一绝缘膜上通过一次或多次制作具有绝缘性质的绝缘膜来生成预设厚度的电极绝缘层。
优选的,在所述阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜之后,还包括:
清洁所述第一绝缘膜表面产生的导电微粒。
优选的,所述清洁所述第一绝缘膜表面产生的导电微粒,包括:
采用清洁溶剂、高压水喷淋和/或超声波振动来清洗沉积有所述第一绝缘膜的阵列基板,以减少第一绝缘膜上附着的导电微粒。
优选的,当采用化学气相沉积或物理溅射技术在所述阵列基板上制作所述第一绝缘膜时,所述清洁所述第一绝缘膜表面产生的导电微粒,包括:
采用气体等离子体对所述第一绝缘膜进行清洁,以减少所述第一绝缘膜表面的导电微粒。
优选的,当在所述第一绝缘膜上通过多次制作具有绝缘性质的绝缘膜来生成预设厚度的电极绝缘层时,还包括:
每次在所述第一绝缘膜上生成一层具有绝缘性质的绝缘薄膜后,清洁所述在第一绝缘膜上制作生成的绝缘膜上附着的导电微粒,并继续在已生成的绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜直至生成预设厚度的电极绝缘层。
优选的,当在所述第一绝缘膜上通过制作一次具有绝缘性质的绝缘膜生成预设厚度的电极绝缘层时,所述第一绝缘膜的厚度小于或等于所述电极绝缘层厚度的1/2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造