[发明专利]LED光学特性检测方法及检测装置

权利要求书

1.一种LED光学特性检测方法，其特征在于，包括：提供激光光源；提供光栅，将光栅放置在激光光源的光路上；在光栅背后放置LED，使LED有源层与光栅的距离满足泰伯距离，在LED有源层上形成光栅自成像，所述光栅自成像包括阵列式排布的照明点；采集所述LED有源层受所述阵列式排布的照明点激发产生的荧光。

2.如权利要求1所述的LED光学特性检测方法，其特征在于，所述LED有源层与光栅的距离为分数泰伯距离，在LED有源层上形成的光栅自成像为分数光栅自成像。

3.如权利要求1所述的LED光学特性检测方法，其特征在于，所述LED有源层至LED上表面的距离为泰伯距离，所述提供光栅的步骤包括在LED上表面设置光栅，所述光栅与LED上表面相接触。

4.如权利要求1所述的LED光学特性检测方法，其特征在于，所述LED有源层与LED上表面的距离不等于泰伯距离，所述提供光栅的步骤包括在LED上表面设置隔离层、在隔离层上表面设置光栅，所述隔离层与LED上表面相接触，所述光栅与所述隔离层相接触，所述隔离层的厚度与LED有源层至LED上表面的距离之和为泰伯距离。

5.如权利要求1所述的光学特性检测方法，其特征在于，所述使LED有源层与光栅的距离满足泰伯距离，在LED有源层上形成光栅自成像的步骤包括：调整LED的倾角，使LED有源层的平面和光栅自成像的平面位于同一平面上。

6.如权利要求1所述的LED光学特性检测方法，其特征在于，所述采集所述荧光的步骤包括：在LED初始位置处，依次采集所述LED有源层受阵列式排布的各照明点产生的荧光；使LED分别沿照明点阵列的两个方向，以照明点阵列周期/N的步进距离移动，移动N-1次，在每个步进位置处依次采集所述LED有源层受阵列式排布的各照明点产生的荧光，其中N为大于或等于1的整数。

7.如权利要求1所述的LED光学特性检测方法，其特征在于，所述采集所述荧光的步骤包括：在LED初始位置处，同时采集阵列式排布的各照明点产生的荧光；使LED分别沿照明点阵列的两个方向，以照明点阵列周期/N的步进距离移动，移动N-1次，在每个步进位置处同时采集所述LED有源层受阵列式排布的各照明点产生的荧光，其中N为大于或等于1的整数。

8.如权利要求1、6或7所述的LED光学特性检测方法，其特征在于，还包括移动LED，使光栅自成像完成对整个LED有源层的光学检测。

9.一种LED光学特性检测装置，其特征在于，包括激光光源、光栅、平台、采集器，其中，

激光光源，用于提供相干光束；

光栅，用于在接收所述相干光束时形成光栅自成像；

平台，用于承载待检测的LED，使LED有源层与光栅的距离为泰伯距离，在LED有源层上形成光栅自成像，所述光栅自成像包括阵列式排布的照明点；

采集器，用于采集LED有源层受所述阵列式排布的照明点激发而形成的荧光。

10.如权利要求9所述的LED光学特性检测装置，其特征在于，所述LED有源层距离LED上表面的距离为分数泰伯距离。

11.如权利要求9所述的LED光学特性检测装置，其特征在于，所述LED有源层距离LED上表面的距离为泰伯距离，所述光栅位于LED上表面上且与LED上表面相接触。

12.如权利要求9所述的LED光学特性检测装置，其特征在于，还包括位于LED上且与LED接触的隔离层，所述光栅位于隔离层上且与隔离层接触，所述隔离层的厚度与LED有源层至LED上表面距离的和为泰伯距离。

13.如权利要求12所述的LED光学特性检测装置，其特征在于，所述隔离层为二氧化硅。

14.如权利要求9所述的LED光学特性检测装置，其特征在于，所述平台还用于控制LED的倾角，使LED有源层的平面和光栅自成像的平面位于同一平面上。

15.如权利要求9所述的LED光学特性检测装置，其特征在于，所述平台还用于控制LED的移动，使LED分别沿照明点阵列的两个方向，以照明点阵列周期/N的步进相对于光栅进行移动，其中N为大于或等于1的整数。