[发明专利]一种导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法

权利要求书

1.一种导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法，首先通过旋涂方法获得氧化剂薄膜，然后通过刻蚀的方法获得氧化剂一维纳米结构阵列，最后采用化学原位聚合的方法将获得的氧化剂一维纳米结构阵列暴露于导电聚合物单体气氛中引发聚合，从而获得导电聚合物一维纳米结构阵列，其特征在于，具体包括以下步骤：

①将氧化剂FeCl₃溶于有机溶剂中，形成氧化剂良好分散的溶液，

②将氧化剂FeCl₃溶液采用旋涂的方法在基片上获得均匀的氧化剂FeCl₃薄膜；

③将沉积于基片上的氧化剂薄膜采用刻蚀的方法获得氧化剂一维纳米结构阵列；

④将获得的氧化剂一维纳米结构阵列暴露于导电聚合物单体气氛中引发聚合，得到导电聚合物一维纳米结构阵列，所述导电聚合物单体为导电聚合物单体为3,4-乙烯二氧噻吩或吡咯；

⑤将获得的导电聚合物一维纳米结构阵列在溶剂中进行清洗及烘干以驱除多余的氧化剂。

2.根据权利要求1所述的导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，步骤③中所述刻蚀方法为电子束刻蚀。

3.根据权利要求1所述的导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述基片是处理过的石英、ITO玻璃或叉指电极。

4.根据权利要求1所述的导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，步骤⑤中，清洗用溶剂为超纯水或无水乙醇，烘干温度为120~140℃。

5.根据权利要求1所述的导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，通过控制电子束刻蚀的线宽能得到不同尺寸的导电聚合物一维纳米结构阵列。

6.一种导电聚合物一维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①将FeCl₃溶于氯仿中，FeCl₃的浓度为50mg/ml，形成分散良好的氧化剂溶液；

②采用滴管抽取5ml FeCl₃氧化剂溶液缓慢滴加于至于旋涂机上的基片上，控制旋涂机的转速为800转/分钟，形成均匀的氧化剂薄膜，然后将获得的氧化剂薄膜在100℃温度下烘干45分钟；

③将沉积了氧化剂旋涂膜的基片放入电子束刻蚀系统进行刻蚀，刻蚀线宽为150纳米，得到FeCl₃氧化剂一维纳米结构阵列；

④将沉积了FeCl₃氧化剂一维纳米结构阵列的基片放入3,4-乙烯二氧噻吩气体气氛中进行聚合，聚合时间为30分钟，反应温度为室温，得到导电聚合物3,4-聚乙烯基二氧噻吩一维纳米结构阵列；

⑤将获得的3,4-聚乙烯二氧噻吩一维纳米结构阵列在超纯水中清洗并在125℃下烘干30分钟，以去除多余的氧化剂。