[发明专利]一种用低品位软锰矿浸出硫酸锰的方法无效

专利信息
申请号: 201110191394.X 申请日: 2011-07-10
公开(公告)号: CN102358917A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 陶长元;孙思;刘作华;杜军;范兴;刘仁龙;孙大贵;杨鲜艳;李敏;陈燕;习苏芸;费珊珊;王冰青;张兴然 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C22B3/08 分类号: C22B3/08;C25B1/00;C22B47/00
代理公司: 重庆中之信知识产权代理事务所 50213 代理人: 袁庆民
地址: 400044 重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 品位 锰矿 浸出 硫酸锰 方法
【权利要求书】:

1.一种用低品位软锰矿浸出硫酸锰的方法,该方法包括将低品位的软锰矿、硫铁矿之两矿粉碎,并置于浸取槽中与硫酸混合以制备矿浆液的步骤(1),其特征在于,在该步骤(1)中,所述软锰矿中锰的质量分数为9%~21%,所述硫铁矿为浮选硫铁矿,两矿的粒度均不大于0.150mm,该软锰矿与硫铁矿的质量比为5~3∶1,硫酸的摩尔浓度为1~1.2mol/L,硫酸与两矿的质量比为6~8∶1;在步骤(1)之后,还有以下步骤:

(2)对步骤(1)的浸取槽接通电源,以对所述矿浆液进行电催化还原反应;其中,阳极电流密度为100~300A/m2,浸取温度为50~90℃,浸取时间为2~4h;

(3)对经步骤(2)电催化还原反应后的矿浆液进行固液分离,得含硫酸锰的滤液。

2.根据权利要求1所述用低品位软锰矿浸出硫酸锰的方法,其特征在于,步骤(2)所用的浸取槽为无隔膜浸取槽,电催化还原所用电极的阳极和阴极均为Pb-Ag-Sn-Sb四元合金。

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