[发明专利]一种快恢复二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110191507.6 | 申请日： | 2011-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102867849A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 盛况;朱江 | 申请（专利权）人： | 盛况 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/872;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310027 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种快恢复二极管，其特征在于：包括：
衬底层，为第一导电类型半导体材料；
漂移层，位于衬底层之上，为第一导电类型半导体材料；
多个沟槽，位于漂移层表面；
绝缘介质，位于沟槽与沟槽之间的半导体材料上表面和器件边缘表面；
第一P型区，为第二导电类型半导体材料，被设置在临靠沟槽侧壁和绝缘介质的漂移层中；
第二P型区，为第二导电类型半导体材料，被设置在临靠沟槽底部的漂移层中；
肖特基势垒层，位于沟槽侧壁的第一导电类型半导体材料表面；
分压环装置，为一个或多个沟槽，且整个临靠其沟槽的半导体材料被设置为第二导电类型半导体材料，位于如上所述的半导体装置周围。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的肖特基势垒层位于第一P型区和第二P型区之间。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的肖特基势垒层为势垒金属和第一导电类型半导体材料形成化合物。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的第一P型区和第二P型区不相连。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的不同沟槽底部的第二P型区之间不相连。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的沟槽内壁的第二导电类型半导体材料表面为欧姆接触区域。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的分压环装置外围可以设置终止环，终止环由高浓度杂质掺杂的第一导电类型半导体材料构成，位于器件表面边缘附近区域。
8.如权利要求1所述的一种快恢复二极管的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在具有衬底层的漂移层表面形成绝缘介质；
2)通过光刻腐蚀工艺，去除待形成第二导电类型半导体材料区表面的绝缘介质；
3)在裸露的漂移层表面进行第二导电类型杂质扩散；
4)通过光刻腐蚀工艺，去除待形成沟槽表面的绝缘介质，进行刻蚀半导体材料形成沟槽；
5)注入第二导电类型杂质，进行热处理；
6)通过光刻腐蚀工艺，去除器件边缘绝缘介质，进行第一导电类型杂质扩散；
7)去除沟槽内壁绝缘介质；
8)在沟槽内壁形成金属，低温热处理；
9)在器件上表面形成金属，通过光刻腐蚀工艺，去除上表面部分金属；
10)通过背面金属化工艺，在器件衬底层底部形成金属。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述的刻蚀沟槽，元胞沟槽的深度大于此步刻蚀工艺之前的杂质扩散的结深。
10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述的第6步骤可以省略。
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