[发明专利]半导体衬底的制造方法、半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底上形成第一绝缘膜；

通过向所述单晶半导体衬底导入第一离子而在所述单晶半导体衬底中形成分离层；

在所述第一绝缘膜中导入第二离子，其中所述第二离子是卤素离子；

中间夹着第二绝缘膜地接合所述单晶半导体衬底和支撑衬底；

进行加热处理，以单晶半导体膜残留在所述支撑衬底上的方式分离所述单晶半导体衬底，并由此使所述单晶半导体膜中包含所述卤素；以及

在所述单晶半导体膜上进行化学机械抛光。

2.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第一绝缘膜在成份中包含硅和氧。

3.根据权利要求2所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第一绝缘膜是热氧化膜。

4.根据权利要求2所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第一绝缘膜是氧化硅膜或氧氮化硅膜。

5.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，还包括在所述第一绝缘膜上形成第三绝缘膜的步骤，

其中所述第三绝缘膜在成份中包含硅和氮。

6.根据权利要求5所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第三绝缘膜是氮化硅膜或氮氧化硅膜。

7.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，其中所述卤素为氟或氯。

8.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第二绝缘膜为氧化硅膜或具有硅氧烷键的膜。

9.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第二绝缘膜是氧化硅膜，并且所述氧化硅膜通过将有机硅烷或无机硅烷作为原料气体并使用化学气相沉积法而形成。

10.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，其中所述支撑衬底为选自包括玻璃衬底、石英衬底、陶瓷衬底、蓝宝石衬底、以及表面被绝缘膜覆盖的金属衬底的组中的一种。

11.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，其中在所述支撑衬底上设置有阻挡膜。

12.根据权利要求1所述的半导体衬底的制造方法，其中所述单晶半导体衬底在成份中包含锗化硅。

13.一种半导体装置的制造方法，包括使用通过权利要求1所述的方法制造的单晶半导体衬底形成晶体管的步骤。

14.一种半导体衬底的制造方法，包括如下步骤：

在单晶半导体衬底上形成第一绝缘膜；

通过向所述单晶半导体衬底导入第一离子而在所述单晶半导体衬底中形成分离层；

在所述第一绝缘膜中导入第二离子，其中所述第二离子是卤素离子；

中间夹着第二绝缘膜地接合所述单晶半导体衬底和支撑衬底；

进行加热处理，以单晶半导体膜残留在所述支撑衬底上的方式分离所述单晶半导体衬底，并由此使所述单晶半导体膜中包含所述卤素；以及

用激光束照射所述单晶半导体膜。

15.根据权利要求14所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第一绝缘膜在成份中包含硅和氧。

16.根据权利要求15所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第一绝缘膜是热氧化膜。

17.根据权利要求15所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第一绝缘膜是氧化硅膜或氧氮化硅膜。

18.根据权利要求14所述的半导体衬底的制造方法，还包括在所述第一绝缘膜上形成第三绝缘膜的步骤，

其中所述第三绝缘膜在成份中包含硅和氮。

19.根据权利要求18所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第三绝缘膜是氮化硅膜或氮氧化硅膜。

20.根据权利要求14所述的半导体衬底的制造方法，其中所述卤素为氟或氯。

21.根据权利要求14所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第二绝缘膜为氧化硅膜或具有硅氧烷键的膜。

22.根据权利要求14所述的半导体衬底的制造方法，其中所述第二绝缘膜是氧化硅膜，并且所述氧化硅膜通过将有机硅烷或无机硅烷作为原料气体并使用化学气相沉积法而形成。