[发明专利]外延材料层的特性测试装置

权利要求书

1.一种外延材料层的特性测试装置，用于对衬底上的外延材料层的特性参数进行测试，其特征在于，包括：

探针单元，在测试时能够与所述外延材料层的表面形成导电接触，通过所述探针单元向所述外延材料层提供电信号，所述电信号能够使得所述外延材料层发出光信号；

光信号分析单元，用于获得所述光信号，对所述光信号进行分析，获得所述外延材料层的特性参数。

2.如权利要求1所述的外延材料层的特性测试装置，其特征在于，还包括：基座，所述基座上放置至少一片所述衬底；

所述外延材料层包括：至少一个N型导电层和一个P型导电层，以及位于所述两层导电层之间的发光层，所述发光层的材质为氮化镓、铟镓氮、铟铝镓氮、镓铝砷、铟镓砷、铟镓磷、铟镓铝磷中的一种或者其中的组合；

测试时，所述探针单元位于所述基座上方，且所述探针单元与位于发光层上方的N型导电层或P型导电层的表面形成导电接触，通过探针单元向所述外延材料层层提供电信号，所述N型导电层和P型导电层形成的PN结以及发光层在所述电信号的控制下发出光信号。

3.如权利要求2所述的外延材料层的特性测试装置，其特征在于，所述探针单元包括：电信号提供单元，用于提供电信号，所述电信号为直流电信号；

导电探针对，与所述电信号提供单元电连接，所述导电探针对包括间隔设置的第一探针和第二探针，所述第一探针和第二探针具有探针头，测试时，所述探针头与所述N型导电层或P型导电层的表面形成导电接触。

4.如权利要求3所述的外延材料层的特性测试装置，其特征在于，还包括：外延沉积腔室，用于对衬底进行外延沉积工艺，所述外延沉积腔室具有真空传输腔室和/或装载卸载装置，所述装载卸载装置通过真空传输腔室与所述外延沉积腔室相连通，或者所述装载卸载装置直接与所述外延沉积腔室相连通；所述装载卸载装置内设置有衬底存放架，所述衬底存放架用于与外部交换衬底；

所述导电探针对设置于所述真空传输腔室或装载卸载装置内；

机械传输单元，用于将衬底在所述外延沉积腔室和所述装载卸载装置之间传输或用于将衬底在所述外延沉积腔室、真空传输腔室和装载卸载装置之间传输，所述机械传输单元用于将所述衬底传输至所述导电探针对下方，使得所述导电探针对与位于发光层上方的N型导电层或P型导电层的表面形成导电接触。

5.如权利要求3所述的外延材料层的特性测试装置，其特征在于，所述基座为可移动基座，所述外延材料层的特性测试装置还包括：外延沉积腔室，所述外延沉积腔室具有装载卸载装置和/或真空传输腔室，所述装载卸载装置具有中间腔室；

所述探针对设置于所述装载卸载装置的中间腔室的内部或设置于所述真空传输腔室的内部，且所述导电探针对与所述中间腔室或真空传输腔室的相对位置固定；

在测试时，所述可移动基座从所述外延沉积腔室移动至所述中间腔室或所述传输腔室，且所述可移动基座将其上方放置的衬底及该衬底上方的外延材料层的表面移动至该外延材料层的表面与导电探针对的探针头形成导电接触的位置。

6.如权利要求3所述的外延材料层的特性测试装置，其特征在于，还包括：外延沉积腔室，所述外延沉积腔室具有装载卸载装置和/或真空传输腔室，所述装载卸载装置具有中间腔室；

所述探针单元还包括：

探针夹持单元，设置于所述中间腔室的内部或所述真空传输腔室的内部，所述探针夹持单元能够加持所述导电探针对进行移动，使得所述导电探针对移动至所述外延材料层的表面，所述基座为可移动基座，在所述基座移动过程中，所述衬底与所述基座保持相对静止；

在测试时，所述可移动基座从所述外延沉积腔室移动至所述中间腔室或所述传输腔室，所述探针夹持单元将所述导电探针对的探针头移动至所述外延材料层的表面，使得所述探针头与所述外延材料层的表面形成导电接触。

7.如权利要求4～6中任一权利要求所述的外延材料层的特性测试装置，其特征在于，还包括：

数据分析单元，用于基于所述光信号分析单元获得所述外延材料层的特性参数对所述外延沉积腔室的工艺参数进行优化调整。

8.如权利要求3所述的外延材料层的特性测试装置，其特征在于，还包括：控制单元，用于控制所述电信号控制单元，调节所述电信号控制单元提供的电信号，控制所述探针头的运动以及所述基座的运动。