[发明专利]微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法无效
| 申请号： | 201110192471.3 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102381711A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 谢二庆;王江涛;侯晨光;赵长辉 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 李艳华 |
| 地址： | 730000 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微波 等离子体 提纯 冶金 多晶 方法 | ||
1.微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法，包括以下步骤：
(1)将粒度为250目的冶金级硅粉进行超声清洗后，在室温下晾干，得到预处理硅粉；
(2)将所述预处理硅粉放入微波等离子体提纯装置内的石英管(5)中；
(3)将所述石英管(5)通过机械泵(7)抽真空至真空度为100Pa～350Pa后，通过Ar气进气装置(1)向所述石英管(5)通入纯度为99.995％的Ar气；
(4)20分钟后，打开电源开关，开启微波发射源(4)，在Ar气流量为10～20sccm、微波功率为2450MHz、真空度为100～350Pa的条件下进行Ar微波等离子体刻蚀，刻蚀10～30分钟后，得到提纯后的冶金级多晶硅粉体；
(5)刻蚀结束后，关闭所述电源开关及所述Ar气进气装置(1)，待所述提纯后的冶金级多晶硅粉体自然冷却后取出，放入清洁无污染的环境中保存即可。
2.如权利要求1所述的微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的超声清洗是指依次用丙酮、质量浓度为99.7％的酒精、去离子水分别超声20～40分钟，直至硅粉上清液完全清澈，然后用质量浓度为40％的HF溶液清洗以去除表面的氧化层。
3.如权利要求1所述的微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法，其特征在于：所述步骤(2)中的微波等离子体提纯装置包括壳体(6)及置于所述壳体(6)内的带电源开关的微波发射源(4)和连有转动装置的石英管(5)；所述石英管(5)的一侧与所述微波发射源(4)相接，其顶部设有Ar气进气装置(1)，其底部通过管道连有机械泵(7)；所述Ar气进气装置(1)的进气口设有流量计(2)；所述机械泵(7)连有真空计(3)。
4.如权利要求4所述的微波等离子体提纯冶金级多晶硅的方法，其特征在于：所述石英管(5)为高纯石英管。
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