[发明专利]制程处理室中阴极的射频接地

说明书

本申请是申请人于2005年9月9日提交的、申请号为“200510103695.7”的、发明名称为“制程处理室中阴极的射频接地”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的实施例大致关于用于大面积基材处理的等离子制程设备，且更明确而言，是关于用于前述设备的RF电流返回路径。

背景技术

面板显示器通常用于主动式数组显示器，例如计算机及电视屏幕、个人数字助理(PDAs)、移动电话及相关类似者。液晶显示器(LCD)为面板显示器的一种，一般包含两个平板(可能为玻璃或塑料)，其间夹设一层液晶材料。这些平板的至少一者至少包括一导电薄膜，沉积其上以耦接至一电源供应器。来自电源供应器且供应至导电材料薄膜的电源会改变液晶材料的方向，形成显示器可看见的图案，例如文字或图形等。常用制造面板的制程为等离子增强化学气相沉积(PECVD)。

等离子增强化学气相沉积通常用于沉积薄膜于一基材上，例如这些用于制造面板的基材。等离子增强化学气相沉积可通过将一先驱物气体引入一内含基材的真空处理室的方式完成。先驱物气体常导经一靠近处理室顶部的分配板。通过一或多个耦接至处理室的RF来源施加RF电源至处理室，可将处理室中的先驱物气体激发(例如活化)成等离子。激发气体可再反应以形成一材料层于基材表面(此基材置于一温度控制基材支撑件上)。

在沉积期间，基材支撑件须适当的作RF接地，以确保不会有压降通过基材支撑件表面而影响沉积均匀性。无效的RF接地会致使等离子通过基材支撑件的侧边或下方，而让吾人不乐见的沉积于该等处发生，不但使处理室难以清洁也相当耗时。某些系统利用低阻抗条体将基材支撑件耦接至处理室本体，以利基材支撑件作RF接地。

图1(现有技术)为一例示性现有制程处理室100其部份切除的一简化示意图，处理室100具有数个RF接地条体120，以电性地将基材支撑件140耦接至处理室100的底部134。基材传送端口136为一开口，基材可通过开口而由制程处理室进出。图1绘有八个条体120，两个条体120耦接至基材支撑件140各边缘。基材支撑件140通常包括数个升举销152，其中某些升举销是沿基材支撑件140的边缘设置，以于传送期间升起基材边缘。这些条体120的每一者包括以一弯折部126结合的第一及第二弯曲部122、124。这些条体120通常与基材支撑件140的外缘对齐，并设有间距以提供空间予升举销152，以延伸于基材支撑件140下方。基材支撑件140可移动于基材装载位置(其靠近传送端口136的下端138)以及一基材沉积位置(大致位于传送端口136的上端139的上或附近)之间。V型条体120会根据基材支撑位置而弯曲。

虽然在某些应用中此配置已证明有效且可靠，但其对于某些需要基材支撑件于基材装载位置及基材沉积位置间移动较远距离的系统则功效不大，因较长移动距离需要较长的RF接地条体120，此可能会增加RF接地条体的阻抗，并降低条体RF接地能力。

因此，业界对于具有较短电流返回路径的可靠低阻抗RF接地存有高度需求。

发明内容

本发明的实施例大致是提供一种用于大型基材制程的RF电流返回路径。在一实施例中，一用于提供RF电流返回路径于制程处理室及基材支撑件之间的设备是由制程处理室壁所封围，制程处理室壁至少包含一具有基材传送端口的制程处理室壁、一由制程处理室壁封围且适于移动于一制程位置及一非制程位置间的基材支撑件以及一安装至制程处理室壁并高于基材传送端口的RF接地组件，其中RF接地组件在基材支撑件处于制程位置时可接触基材支撑件。

RF接地组件更包含一或多个低阻抗档体，其在基材处理期间可接触基材支撑件；以及一或多个低阻抗可弯曲幕状物(curtain)或条体，其具有第一端及第二端，第一端可电性连接制程处理室壁，而第二端可连接至一或多个低阻抗档体。

在另一实施例中，一用于提供RF电流返回路径于制程处理室及基材支撑件之间的设备是由制程处理室壁所封围，制程处理室壁至少包含一具有基材传送端口的制程处理室壁、一由制程处理室壁封围且适于移动于一制程位置及一非制程位置间的基材支撑件以及一安装至制程处理室壁并高于基材传送端口的RF接地组件，其中RF接地组件在基材支撑件处于制程位置时可接触基材支撑件。

RF接地组件更包含数个RF接地探针，其等可移动于一接触该基材支撑件的位置(当基材支撑件移动至制程位置时)以及一未接触基材支撑件的位置(当基材支撑件移至非制程位置时)之间；以及数个制动器，耦接至这些探针并适于控制这些探针移动。

附图说明