[发明专利]多重气体感测器及其制作方法

权利要求书

1.一种多重气体感测器，包括：

一基板；

一磊晶层，成长于该基板上，该磊晶层具有一第一磊晶结构及一第二磊晶结构，该第一磊晶结构及该第二磊晶结构之间具有一间隙；

一金属氧化物层，成长于该第一磊晶结构上；

一第一金属层，成长于该第二磊晶结构上，且该第一金属层具有至少两种金属；

一第二金属层，成长于该第二磊晶结构上，并且该第二金属层与该第一金属层之间保持一段距离；以及

多个第三金属层，成长于该金属氧化物层、该第一金属层及该二金属层上。

2.如权利要求1所述的多重气体感测器，其特征在于，该磊晶层进一步包括两个第二磊晶结构，并且该两个第二磊晶结构之间具有该间隙。

3.如权利要求1所述的多重气体感测器，其特征在于，该磊晶层由下而上依序包括一成核层、一缓冲层及一主动层。

4.如权利要求1所述的多重气体感测器，其特征在于，进一步包括两个第二金属层，并且该两个第二金属层相互重迭地成长于该第二磊晶结构上。

5.如权利要求2所述的多重气体感测器，其特征在于，进一步包括两个第二金属层，并且该两个第二金属层分别成长于该两个第二磊晶结构上。

6.一种多重气体感测器的制作方法，其特征在于，该方法包括：

提供一基板；

在该基板之上成长一磊晶层；

蚀刻该磊晶层，使得该磊晶层具有一第一磊晶结构及一第二磊晶结构，并且该第一磊晶结构及该第二磊晶结构之间形成一间隙；

在该第一磊晶结构上成长一金属氧化物层；

在该第二磊晶结构上成长一第一金属层，且该第一金属层具有至少两种金属；

在该第二磊晶结构上成长一第二金属层，并且该第二金属层与该第一金属层之间保持一段距离；以及

在该金属氧化物层、该第一金属层及该二金属层上成长多个第三金属层。

7.如权利要求6所述的多重气体感测器的制作方法，其特征在于，在该基板上该磊晶层成长的方法，进一步包括：

在该基板上成长一成核层；

在该成核层上成长一缓冲层；以及

在该缓冲层上成长一主动层。

8.如权利要求7所述的多重气体感测器的制作方法，其特征在于，蚀刻该磊晶层的方法进一步包括：

在该主动层上成长多个阻挡层，并且每一该阻挡层分别位于该第一磊晶结构及该第二磊晶结构之上；以及

利用感应耦合电浆-反应离子蚀刻技术来蚀刻该磊晶层，则每两个该阻挡层之间形成该第一磊晶结构及该第二磊晶结构之间的所述间隙。

9.如权利要求6所述的多重气体感测器，其特征在于，在该第二磊晶结构上成长该第一金属层的方法，进一步包括：在一钝气状态下，在成长于该第二磊晶结构上的该第一金属层进行一退火步骤，并且该退火步骤的反应温度为200度至900度，其反应时间为1秒至50分。

10.如权利要求6所述的多重气体感测器，其特征在于，成长该磊晶层的方法包括金属有机化学气相沉积法及分子束磊晶成长法，蚀刻该磊晶层利用感应耦合电浆-反应离子蚀刻技术，成长该金属氧化物层利用真空溅镀法，成长该第一金属层、该第二金属层及该些第三金属层利用热蒸镀法。