[发明专利]一种内存供电电路

权利要求书

1.一种内存供电电路，其特征在于，包括一个直流到直流DC-DC开关电源和一个电压切换电路；

所述DC-DC开关电源的输入端连接系统直流输入和后备电源输入，DC-DC开关电源的输出端输出内存和内存控制器所需的供电电压；其中，DC-DC开关电源的输出端直接连接内存，DC-DC开关电源的输出端连接电压切换电路的输入端，电压切换电路的输出端连接内存控制器；

系统直流输入从0变为正常值时，电压切换电路的输出端从0缓慢变为内存控制器供电电压，所述电压变化的时间范围为100毫秒至900毫秒，DC-DC开关电源的输出端输出的电压同时给内存和内存控制器供电；

当系统直流输入从正常值变为0时，电压切换电路的输出端从内存控制器供电电压迅速变为0，所述电压变化的时间范围为0.01微秒至100微秒，DC-DC开关电源的输出端输出的电压仅对内存持续供电。

2.根据权利要求1所述的内存供电电路，其特征在于，所述电压切换电路包括：第一开关型金属-氧化层-半导体-场效应晶体MOSFET管Q1、第二开关型MOSFET管Q2、二极管D1、电容C1、第一电阻R1和功率型MOSFET管Q3；

第一开关型MOSFET管Q1的栅极用于接收市电掉电监测信号，所述市电掉电监测信号在市电正常时为高电平，在市电丢失时为低电平；第一开关型MOSFET管Q1的源极接地，第一开关型MOSFET管Q1的漏极连接第二开关型MOSFET管Q2的栅极；

第二开关型MOSFET管Q2的源极接地，第二开关型MOSFET管Q2的漏极连接二极管D1的负极以及第一电阻R1；二极管D1与第一电阻R1并联，二极管的正极连接电容C1的正极，电容C1的负极接地；电容C1的正极连接功率型MOSFET管Q3的栅极；

功率型MOSFET管Q3的漏极连接DC-DC开关电压的输出端，功率型MOSFET管Q3的源极连接内存控制器。

3.根据权利要求2所述的内存供电电路，其特征在于，所述电压切换电路进一步包括第二电阻R2；所述第二电阻R2的一端连接系统参考电压，第二电阻R2的另一端连接第一开关型MOSFET管Q1的漏极。

4.根据权利要求3所述的内存供电电路，其特征在于，所述第二电阻R2的阻值为1K到100K欧姆。

5.根据权利要求2所述的内存供电电路，其特征在于，所述电压切换电路进一步包括第三电阻R3；所述第三电阻R3的一端连接系统参考电压，第三电阻R3的另一端连接第二开关型MOSFET管Q2的漏极。

6.根据权利要求5所述的内存供电电路，其特征在于，所述第三电阻R3的阻值为1K到100K欧姆。

7.根据权利要求2所述的内存供电电路，其特征在于，所述电压切换电路进一步包括第四电阻R4，所述第四电阻R4与电容C1并联。

8.根据权利要求7所述的内存供电电路，其特征在于，所述第四电阻R4的阻值为1K到100K欧姆。

9.根据权利要求1至8任一项所述的内存供电电路，其特征在于，所述二极管C1为肖特基二极管。