[发明专利]用于RFID的中断产生及确认的装置和方法

说明书

相关申请的交叉引用

本发明涉及第[RAM 601]号、标题为LOW POWER，LOW PIN COUNT INTERFACE FOR AN RFIDTRANSPONDER，第[RAM 602]号、标题为FAST BLOCK WRITE USING AN INDIRECT MEMORY POINTER，以及第[RAM 603]号、标题为RFID ACCESS METHOD USING AN INDIRECT MEMORY POINTER的美国专利申请，这些申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明整体上涉及射频识别(RFID)系统领域。更具体地，本发明部分涉及结合了FRAM存储器的RFID应答器。本发明还涉及在RFID应用以内及以外都具可应用的改进串行接口。

背景技术

如本领域所公知的，基本RFID系统包括三个部件：天线或线圈；具有解码器的收发器，即RFID阅读器；和以唯一信息编程的应答器，即，RFID标签。

RFID标签分为有源型或无源型。有源RFID标签由内部电池供电且通常可读写，即，标签数据可以被重写和/或修改。无源RFID标签无需独立的外部电源就可操作，其获得由阅读器产生的操作功率。

图1示出了典型的无源RFID标签的实例。标签100包括耦接至模拟前端电路104的天线102，该模拟前端电路104通过接收(RX)和发送(TX)路径与数字及存储电路106进行通信。当今的多数无源RFID标签使用一些类型的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，诸如闪存。

尽管EEPROM存储器已经用于无源RFID标签应用至今，但是对进出RFID标签的更大数据吞吐量的要求却与日俱增。例如，可以在工厂环境以及在高速路收费中看到示例。基于EEPROM的无源RFID标签较慢，从而可能不适于更高吞吐量的应用。可替换的，存在诸如FRAM(“铁电随机存储存储器”)的更快速的存储器技术，其理想地适合这些新的更高速的RFID应用。然而，一般来说，与将数据传递进和出RFID标签相关的整个协议是与EEPROM相关的。为了利用可替代存储器技术(如FRAM存储器)的优势，期望将现有数据协议扩展，以针对包括FRAM存储器的无源RFID标签的操作进行优化。

EPC全球第二代(Global Generation 2)标准包括对存储器进行块写入(Block Write)的公开方法。当考虑到更快速存储器技术(诸如FRAM存储器)的能力时，该方法效率仍然很低。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种用于RFID应用的中断控制器电路，其基本能够解决由于相关技术的限制和缺陷而造成的一个或多个问题。

根据本发明，一种存储器电路包括：存储器；存储器访问控制电路，耦接至所述存储器；RFID接口，其耦接至存储器访问控制电路；次级接口，其耦接至存储器访问控制电路；以及中断管理器，其耦接至存储器访问控制电路、RFID接口、和次级接口。

应该理解，前述的概括描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，其旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。

附图说明

被包括用于提供对本发明的进一步理解的附图结合到本说明书中并构成本说明书的一部分，其说明了本发明的实施例，并与说明书一起用于说明本发明的原理。

附图中：

图1是现有技术的基于EEPROM的无源RFID标签的框图；

图2是根据本发明的基于FRAM存储器的无源RFID标签的框图；

图3是基于嵌入式FRAM存储器的RFID应用的框图；

图4是图2和图3所示的基于FRAM的RFID电路的数字部分的进一步详细框图；

图5是图2和图3所示的基于FRAM的RFID电路的串行接口的进一步详细框图；

图6至图10是与图5所示的串行接口电路相关的时序图；

图11是与图2和图3所示的基于FRAM的RFID电路的数字部分相关的存储器指针电路的框图；

图12是与图11的存储器指针电路相关的存储器内容的一部分；

图13是用于对存储器进行读/写数据的现有技术的流程图；

图14是用于对存储器进行读/写数据的另一现有技术的流程图；

图15是根据本发明的用于利用图11所示的存储器指针电路对存储器进行读/写数据的技术的流程图；