[发明专利]清洗组合物及用其形成半导体图形的方法

权利要求书

1.一种清洁组合物，包括：基于所述清洁组合物的总量的，

10％～70％重量的醚化合物；

0.1％～2％重量的含氟化合物作为蚀刻剂；

0.1％～3％重量的抗腐蚀剂；及

余量的去离子水。

2.如权利要求1所述的清洁组合物，其中所述醚化合物为二乙二醇单甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇二乙醚、及二乙二醇单丁醚中的至少之一。

3.如权利要求1所述的清洁组合物，还包括基于所述清洁组合物总含量10％～49.5％重量的极性溶剂。

4.如权利要求3所述的清洁组合物，其中所述极性溶剂为N-甲基吡咯烷酮(NMP)和N-甲基甲酰胺(NFM)中的至少之一。

5.如权利要求1所述的清洁组合物，其中所述含氟组合物为氟化铵和氟化氢铵中的至少之一。

6.如权利要求1所述的清洁组合物，其中所述抗腐蚀剂为苯甲酸、五倍子酸、苯并三唑及丙二酸中的至少之一。

7.如权利要求1所述的清洁组合物，其中所述清洁组合物的粘度在1cps～5cps的范围内。

8.一种形成半导体图形的方法，包括：

在具有预定结构的基底上形成绝缘层；

在所述绝缘层中形成大马士革图形；

使用清洁组合物进行清洁，所述清洁组合物包括基于所述清洁组合物的总量10％～70％重量的醚化合物、0.1％～2％重量的含氟化合物作为蚀刻剂、0.1％～3％重量的抗腐蚀剂、及余量去离子水；

形成填满所述大马士革图形的金属层；并且

使得所述金属层平面化以暴露所述绝缘层的上部，并且形成金属布线。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述结构包括铜(Cu)、铝(Al)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钛(Ti)、及氮化钛(TiN)中的至少之一。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述金属层为铜层。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述醚化合物为二乙二醇单甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇二乙醚、及二乙二醇单丁醚中的至少之一。

12.如权利要求8所述的方法，还包括基于所述清洁组合物总含量10％～49.35％重量的N-甲基吡咯烷酮(NMP)和N-甲基甲酰胺(NFM)极性溶剂中的至少之一。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述含氟组合物为氟化铵和氟化氢铵中的至少之一。

14.如权利要求8所述的方法，其中所述抗腐蚀剂为苯甲酸、五倍子酸、苯并三唑及丙二酸中的至少之一。

15.一种形成半导体图形的方法，包括：

在具有预定结构的基底上形成绝缘层；

对所述绝缘层进行蚀刻以形成预定的蚀刻图形；并且

使用清洁组合物进行清洁，所述清洁组合物包括基于所述清洁组合物的总量10％～70％重量的醚化合物、0.1％～2％重量的含氟化合物作为蚀刻剂、0.1％～3％重量百分比的抗腐蚀剂、及余量去离子水。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述结构包括铜(Cu)、铝(Al)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钛(Ti)、及氮化钛(TiN)中的至少之一。