[发明专利]超低介电常数层的制作方法

权利要求书

1.一种超低介电常数层的制作方法，该方法包括：

在硅片的金属层上沉积低介电常数层，采用光刻方式在所述低介电常数层上形成具有沟槽和通孔的图案的光刻胶层；

以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数层，形成沟槽和通孔；

湿法清洗去除光刻胶层后，在沟槽和通孔沉积金属后，抛光金属至所述低介电常数层表面，在所述低介电常数层中形成金属连线；

对所述低介电常数层采用紫外光照射，形成超低介电常数层；

在具有金属连线的所述低介电常数层上沉积金属阻挡层后，抛光，覆盖住金属连线。

2.如权利要去1所述的方法，其特征在于，所述金属阻挡层为低介电常数层。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述沉积金属阻挡层的厚度为100～3000埃。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述抛光采用化学机械平坦化CMP方式进行，抛光后剩余的金属阻挡层的厚度为100～500埃。

5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对所述低介电常数层采用紫外光照射的时间为50～100秒，功率powder为100瓦。

6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述抛光金属至所述低介电常数层表面的磨料为氨水NH4OH和双氧水的混合溶剂。