[发明专利]金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法

权利要求书

1.一种金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构，包括顶部电极、底部电极和介于顶部电极和底部电极之间的绝缘层，其特征在于，该结构形成于一MOS器件区域内，所述MOS器件包括一硅基体和栅极，所述MOS器件的栅极区域覆有一绝缘层和一多晶硅层，所述栅极就是底部电极，所述多晶硅层就是顶部电极，所述绝缘层位于所述栅极和所述多晶硅层之间。

2.一种如权利要求1所述的金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构的制作方法，其特征在于，包括：

采用内部形成有浅沟槽隔离结构的带有栅极的硅基体，在其表面覆盖一层绝缘层；

在绝缘层上沉积一层多晶硅层；

进行光阻旋涂和图形化；

刻蚀掉部分区域的栅极表面的绝缘层和多晶硅层；

去除剩余光阻，形成部分栅极区域的顶部电极、绝缘层和底部电极。

3.根据权利要求2所述的金属-绝缘体-金属MOS电容器的制作方法，其特征在于，所述绝缘层为SiN薄膜。

4.根据权利要求2所述的金属-绝缘体-金属MOS电容器的制作方法，其特征在于， 所述进行光阻旋涂和图形化是指先在其表面涂覆一层光阻胶，然后采用光刻和刻蚀的方式来完成。

5.根据权利要求4所述的金属-绝缘体-金属MOS电容器的制作方法，其特征在于，所述刻蚀方式是采用干法刻蚀。

6.根据权利要求2所述的金属-绝缘体-金属MOS电容器的制作方法，其特征在于，所述刻蚀掉部分区域的栅极表面的绝缘层和介电质层是采用湿法刻蚀来完成的。