[发明专利]无金属阻挡层的铜后道互连工艺

权利要求书

1.一种无金属阻挡层的铜后道互连工艺，在一衬底中形成有金属氧化物场效应晶体管的源/漏掺杂区，在衬底上形成有金属氧化物场效应晶体管的栅极；一接触孔刻蚀阻挡层覆盖在衬底及设置在衬底上的栅极上，并且接触孔刻蚀阻挡层的上方还覆盖有一层接触孔绝缘氧化层薄膜，并形成贯穿接触孔绝缘氧化层薄膜和接触孔刻蚀阻挡层的多个通孔，部分通孔接触栅极，部分通孔接触源/漏掺杂区，且通孔中还填充有金属材料；在接触孔绝缘氧化层薄膜上淀积一金属层刻蚀阻挡层，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a：对金属层刻蚀阻挡层进行刻蚀，仅保留位于通孔上方并与通孔接触的金属层刻蚀阻挡层的残留区域，其余的金属层刻蚀阻挡层刻蚀去除；

步骤b：在接触孔绝缘氧化层薄膜上淀积一导线槽绝缘层和一硬掩模层，导线槽绝缘层同时覆盖在金属层刻蚀阻挡层的残留区域的上方，之后再淀积一硬掩模层覆盖在导线槽绝缘层上；

步骤c：形成硬掩模层中的开口，并利用硬掩模层中的开口对导线槽绝缘层进行刻蚀，将金属层刻蚀阻挡层的残留区域上方的导线槽绝缘层刻蚀掉，以在导线槽绝缘层内形成导线槽；步骤d：刻蚀去除残留的金属层刻蚀阻挡层，以在导线槽的底部暴露填充有金属材料的通孔，之后再在导线槽内淀积金属铜；

步骤e：进行铜金属机械抛光工艺，将导线槽绝缘层上的硬掩模去除。

2.根据权利要求1所述的无金属阻挡层的铜后道互连工艺，其特征在于，步骤a之前还包括：在金属层刻蚀阻挡层上旋涂光刻胶，并进行光刻。

3.根据权利要求1所述的无金属阻挡层的铜后道互连工艺，其特征在于，步骤c之前还包括：在硬掩模层上旋涂光刻胶，光刻形成导线槽图形。

4.根据权利要求1所述的无金属阻挡层的铜后道互连工艺，其特征在于，在接触孔绝缘氧化层薄膜与衬底之间还淀积有一层接触孔刻蚀阻挡层。

5.根据权利要求4所述的无金属阻挡层的铜后道互连工艺，其特征在于，通过穿过接触孔绝缘氧化层。

6.根据权利要求1所述的无金属阻挡层的铜后道互连工艺，其特征在于，在晶体管栅电极的侧面形成有器件侧墙。