[发明专利]一种采用等离子体处理多孔低K值介质的方法无效
| 申请号： | 201110194243.X | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102427055A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 李程;杨渝书;陈玉文;邱慈云 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 等离子体 处理 多孔 介质 方法 | ||
1.本发明公开了一种采用等离子体处理多孔低K值介质的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：将一经薄膜淀积或刻蚀工艺后，形成包含有多孔低K介质薄膜的器件置于一机台的两电极之间；
步骤S2：打开所述机台的射频源并同时于所述两电极之间通入气体，以在所述多孔低K介质薄膜上方将所述气体激发为高聚合体密度的等离子体；所述等离子体与所述多孔低K介质薄膜反应并在其表面上形成钝化层。
2.根据权利要求1所述的采用等离子体处理多孔低K值介质的方法，其特征在于，所述机台为CCP、TCP、ICP或RIE等类型机台。
3.根据权利要求1所述的采用等离子体处理多孔低K值介质的方法，其特征在于，步骤S2中通入的气体至少以NH3或CH4中任一气体作为其主要组成部分。
4.根据权利要求1所述的采用等离子体处理多孔低K值介质的方法，其特征在于，步骤S2中通入的气体还包含H2或Ar等气体，以作为其选择性添加部分。
5.根据权利要求1所述的采用等离子体处理多孔低K值介质的方法，其特征在于，所述机台的射频源的源功率范围为50-4000w。
6.根据权利要求1所述的采用等离子体处理多孔低K值介质的方法，其特征在于，所述机台的两电极之间的偏压功率范围为50-4000w。
7.根据权利要求1所述的采用等离子体处理多孔低K值介质的方法，其特征在于，所述等离子体与所述多孔低K介质薄膜反应的温度范围为10-60oC。
8.根据权利要求1所述的采用等离子体处理多孔低K值介质的方法，其特征在于，根据机台的类型、气体的流量、功率及温度的不同相应调整反应时间，以控制生成钝化层的厚度。
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