[发明专利]空穴补偿型方钴矿热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110194902.X | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881814A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 陈立东;仇鹏飞;刘睿恒;张文清;黄向阳;史迅;杨炯;何琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/18 | 分类号： | H01L35/18;C22C12/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 项丹 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空穴 补偿 型方钴矿 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于热电材料领域，提供了一种具有优异热电性能的空穴补偿型填充方钴矿基材料及其制备方法。
背景技术
热电转换技术可以利用半导体材料的赛贝克(Seebeck)与帕尔贴(Peltier)效应直接实现热能与电能之间的相互转换。这种技术具有系统体积小、可靠性高、不排放污染物质和适用温度范围广等特点，作为特殊电源以及高精度温控器件在空间技术、军事装备和IT技术等高新技术领域获得了普遍应用。热电材料的能量转换效率主要取决于材料的无量纲热电性能因子ZT(ZT＝S2σT/κ，式中S为Seebeck系数，σ为电导率，κ为热导率，T为绝对温度)。材料的ZT值越高，热电转换效率越高。
在热电材料的应用中，必须将p型和n型的热电材料组装成π形热电器件对使用，π形对的热电转换效率与温差和在整个冷热端温度范围内的n、p型材料的平均ZT值紧密相关。最大热电转换效率如下式所示：
式中，是平均温度，表示p型和n型半导体在Tl-Th整个冷热端温度范围内的平均ZT值。如果n型和p型材料只是其中之一的ZT值较高，而另一者的ZT值很低的话，整个热电器件的转换效率依然不能有效提高。因此，同时获得性能优异的p型和n型热电材料一直是热电工作者不懈追求的目标。
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