[发明专利]导电糊有效
申请号: | 201110195191.8 | 申请日: | 2011-07-13 |
公开(公告)号: | CN102332320A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 加藤隆;新藤直人;中山义德 | 申请(专利权)人: | 昭荣化学工业株式会社 |
主分类号: | H01B1/20 | 分类号: | H01B1/20;H01B1/22 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 | ||
技术领域
本发明涉及导电糊,该导电糊无铅且适合用于通过高温烧制从而在不同类型的基板以及电子部件等上形成电极和导体,所述基板例如陶瓷基板和金属基板。
背景技术
通常,导电糊通过下述方法来形成:将包括金属例如银、银-钯、铜、镍等作为主要组分的导电粉末、以及作为无机粘合剂的玻璃料(glass frit)均匀地分散在包括树脂和溶剂的有机媒介物中以形成糊。根据需要还可以加入金属氧化物,例如铋氧化物、铜氧化物等。
通过多种方法例如丝网印刷、浸渍、刷涂等将导电糊施于不同类型的基板以及电子部件的端子部从而形成特定的图案。然后在约700~950℃的高温下对导电糊进行烧制从而形成导电膜(厚膜导体)。
近年来,随着对环境的担忧不断增加,对导电糊中所使用的玻璃料不含铅的要求逐年递增。无铅玻璃料是指如下材料:完全不含铅的玻璃或仅包含作为不可避免杂质的微量铅(例如50ppm或更少)的玻璃。有专利提出了使用铝硼硅酸盐(aluminoborosilicate)玻璃作为无铅玻璃料的导电糊(参考日本公布未审查申请No.Shou50-161692)。
通过焊接将铅配线或不同种类的电子部件附着在导电膜上从而将电子部件安装在印刷电路板等上时,或在保护导电膜不受湿气和灰尘影响时,根据需要在进行镀敷处理之后,在导电膜上形成焊料层。通常,通过在熔融焊料浴中浸渍基板或在导电膜的特定位置上印刷焊料糊以形成焊料层。然后,在进行实际焊接时,通过加热使焊料层回流。
用于形成上述厚膜导电电路和电极的导电糊需要满足多种特性,例如导电性、与基板的粘接强度、耐焊料浸出性(solder leach resistance)(耐焊接热)等。
特别是,在近年来兴起的微电子领域,还亟需焊料材料也不含铅,不同类型的无铅焊料开始用于代替在传统工艺中最常使用的铅-锡焊料。无铅焊料具有不同的熔点,但广为人们所知的是,锡-银-铜焊料(Sn/3Ag/0.5Cu)在约260℃的高温下熔化。
然而,当使用高熔点焊料(例如上述锡-银-铜焊料)时会出现以下麻烦。即,由于通常是在假设使用铅-锡焊料(其中焊接温度为约230~240℃)的条件下,对导电糊进行设计和开发的。因此,在使用具有高熔点焊料时,包含在导电糊中作为导电粉末的金属会分散并溶解于熔融的焊料中,从而导致出现被称为“焊料浸出”现象的可能性增加。
考虑到上述问题,例如日本公开未审查申请No.2006-228572提出一种导电糊,其通过使用SiO2-B2O3-Al2O3-CaO-Li2O玻璃粉末和氧化铝粉末来改善经烧制的导电膜的耐焊料浸出性,从而抑制焊料浸出的现象。
但是,当需要用于更严苛的条件下时,需要进一步提高导电膜的耐焊料浸出性。
发明内容
因此,本发明的主要目的在于提供一种导电糊,其能够提高耐焊料浸出性,特别是提高用于形成将要被焊接的导电性膜和电极的耐焊料浸出性。
根据本发明的第一方面,其提供一种导电糊,该导电糊包含:
(A)导电粉末,
(B)玻璃料,其包含以氧化物换算的、总计85重量%或更多的下述组分,并且该玻璃料基本上不含铅,所述组分为16~47重量%的SiO2,33~52重量%的Al2O3,3~15重量%的MgO,15~45重量%的B2O3,上述比例为在玻璃料中的比例,以及
(C)有机媒介物。
具体实施方式
本发明的导电糊包含(A)导电粉末、(B)玻璃料以及(C)有机媒介物作为关键组分。
下面,将针对(A)导电粉末、(B)玻璃料以及(C)有机媒介物的每一种进行详细描述。
(A)导电粉末
在本发明中,对导电粉末没有特别限定。但可以使用例如:贵金属粉末例如银、钯、铂、金等;贱金属粉末例如铜、镍、钴、铁等;包含上述金属的合金粉末;在每个颗粒的表面包覆有其它导电材料的复合粉末等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭荣化学工业株式会社,未经昭荣化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110195191.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。