[发明专利]一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件

权利要求书

1.一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，包括P型衬底(21)，其特征在于：所述的P型衬底(21)上依次设有第一P+注入区(22)、第一N+注入区(23)、第一N阱(24)、第二N阱(25)和第三N阱(26)，所述的第一N阱(24)上依次设有第二P+注入区(24a)、第二N+注入区(24b)和第三P+注入区(24c)，所述的第二N阱(25)上依次设有第四P+注入区(25a)和第三N+注入区(25b)，所述的第三N阱(26)上依次设有第五P+注入区(26a)和第四N+注入区(26b)；

所述第一P+注入区(22)、第一N+注入区(23)和第三N+注入区(25b)均与电学阴极相连，所述的第二P+注入区(24a)和第三P+注入区(24c)均与电学阳极相连，所述的第二N+注入区(24b)与第五P+注入区(26a)相连，所述的第四P+注入区(25a)与第四N+注入区(26b)相连。

2.根据权利要求1所述的二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，其特征在于，所述的二极管辅助触发的路径为：

从电学阳极流入的电流从第三P+注入区(24c)流入第一N阱(24)后依次流过第一N阱(24)、第三N阱(26)和第二N阱(25)，最终从第二N阱(25)的第三N+注入区(25b)流入电学阴极。