[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110195551.4 | 申请日： | 2011-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102881632A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层中形成铜金属互连线；
在所述绝缘层以及铜金属互连线上形成附着层，所述附着层为掺杂碳的富氮化硅层；
在所述附着层上形成阻障层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述附着层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，形成所述附着层的前体材料包括六甲基二硅氮烷。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述附着层的前体材料还包括氰胺。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，六甲基二硅氮烷的流量为100-1000sccm。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，氰胺的流量为100-500sccm。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用氦气作为所述化学气相沉积的载气。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，氦气的流量为1000-3000sccm。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积过程是在压力3-7Torr，功率50-500W的条件下进行的。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述附着层的厚度为20-100埃。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺或旋涂工艺形成所述阻障层。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻障层的材料是碳化硅、掺杂氮的碳化硅、碳氧化硅或碳氢化硅。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原位沉积工艺形成所述附着层。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为具有低介电常数的材料层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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